Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 258–266
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47110.8918
(Mi phts5598)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А

Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, В. Б. Копылов, С. С. Пушкарев

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
Аннотация: Представлены результаты исследования впервые предложенных и выращенных полупроводниковых структур, сочетающих свойства LT-GaAs и $p$-тип проводимости при легировании кремнием. Структуры представляют собой сверхрешeтки $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$, где слои LT-GaAs выращены при низкой температуре, в диапазоне 280–350$^\circ$С, а слои GaAs:Si – при более высокой температуре, 470$^\circ$С. Дырочный тип проводимости при легировании кремнием обеспечивался использованием подложек GaAs (111)A, выбором температуры роста и соотношения потоков As$_{4}$ и Ga. Концентрация дырок монотонно уменьшается с понижением температуры роста слоeв LT-GaAs от 350 до 280$^\circ$С, что объясняется увеличением шероховатости границ раздела слоeв и формированием обеднeнных носителями заряда областей на границах слоeв GaAs:Si и LT-GaAs. Эволюция спектров фотолюминесценции при 77 K, вызванная изменением температуры роста LT-GaAs, интерпретирована как обусловленная изменением концентрации точечных дефектов Ga$_{\mathrm{As}}$, $V_{\mathrm{Ga}}$, а также комплексов Si$_{\mathrm{Ga}}$$V_{\mathrm{Ga}}$, $V_{\mathrm{As}}$–Si$_{\mathrm{As}}$, Si$_{\mathrm{As}}$–Si$_{\mathrm{Ga}}$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-03294 офи_м
18-32-00157 мол_а
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-2342.2017.2
Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты 16-29-03294 офи_м, 18-32-00157 мол_а) и Совета по грантам Президента РФ (проект МК-2342.2017.2)
Поступила в редакцию: 24.05.2018
Исправленный вариант: 07.06.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 246–254
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020088
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, В. Б. Копылов, С. С. Пушкарев, “Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 258–266; Semiconductors, 53:2 (2019), 246–254
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GalKliKlo19}
\by Г.~Б.~Галиев, Е.~А.~Климов, А.~Н.~Клочков, В.~Б.~Копылов, С.~С.~Пушкарев
\paper Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 258--266
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5598}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47110.8918}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476914}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 246--254
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020088}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5598
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p258
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024