|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, В. Б. Копылов, С. С. Пушкарев Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
Аннотация:
Представлены результаты исследования впервые предложенных и выращенных полупроводниковых структур, сочетающих свойства LT-GaAs и $p$-тип проводимости при легировании кремнием. Структуры представляют собой сверхрешeтки $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$, где слои LT-GaAs выращены при низкой температуре, в диапазоне 280–350$^\circ$С, а слои GaAs:Si – при более высокой температуре, 470$^\circ$С. Дырочный тип проводимости при легировании кремнием обеспечивался использованием подложек GaAs (111)A, выбором температуры роста и соотношения потоков As$_{4}$ и Ga. Концентрация дырок монотонно уменьшается с понижением температуры роста слоeв LT-GaAs от 350 до 280$^\circ$С, что объясняется увеличением шероховатости границ раздела слоeв и формированием обеднeнных носителями заряда областей на границах слоeв GaAs:Si и LT-GaAs. Эволюция спектров фотолюминесценции при 77 K, вызванная изменением температуры роста LT-GaAs, интерпретирована как обусловленная изменением концентрации точечных дефектов Ga$_{\mathrm{As}}$, $V_{\mathrm{Ga}}$, а также комплексов Si$_{\mathrm{Ga}}$–$V_{\mathrm{Ga}}$, $V_{\mathrm{As}}$–Si$_{\mathrm{As}}$, Si$_{\mathrm{As}}$–Si$_{\mathrm{Ga}}$.
Поступила в редакцию: 24.05.2018 Исправленный вариант: 07.06.2018
Образец цитирования:
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, В. Б. Копылов, С. С. Пушкарев, “Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 258–266; Semiconductors, 53:2 (2019), 246–254
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5598 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p258
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 53 | PDF полного текста: | 14 |
|