|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. В. Ермачихин, Ю. В. Воробьев, А. Д. Маслов, Е. П. Трусов, В. Г. Литвинов, “Квантовый выход двусторонних солнечных элементов типа HIT”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1066–1071   ; A. V. Ermachikhin, Yu. V. Vorobyov, A. D. Maslov, E. P. Trusov, V. G. Litvinov, “External quantum efficiency of bifacial HIT solar cells”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1254–1259 |
3
|
|
2019 |
| 2. |
В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления”, ЖТФ, 89:5 (2019), 737–743 ; V. V. Tregulov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “Current transmission mechanisms in the semiconductor structure of a photoelectric transducer with an $n^{+}$–$p$ junction and an antireflection porous silicon film formed by color etching”, Tech. Phys., 64:5 (2019), 686–692 |
| 3. |
В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 24–27 ; V. V. Tregulov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “Deep-level defects in a photovoltaic converter with an antireflection porous silicon film formed by chemical stain etching”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 145–148 |
1
|
|
2018 |
| 4. |
С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, В. В. Гудзев, А. В. Ермачихин, Д. В. Жилина, В. Г. Литвинов, А. Д. Маслов, В. Г. Мишустин, Е. И. Теруков, A. С. Титов, “Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 787–791 ; S. P. Vikhrov, N. V. Vishnyakov, V. V. Gudzev, A. V. Ermachikhin, D. V. Zhilina, V. G. Litvinov, A. D. Maslov, V. G. Mishustin, E. I. Terukov, A. S. Titov, “Study of deep levels in a HIT solar cell”, Semiconductors, 52:7 (2018), 926–930 |
3
|
| 5. |
В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/$por$-Si/$p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 751–756 ; V. V. Tregulov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “Study of current flow mechanisms in a CdS/$por$-Si/$p$-Si heterostructure”, Semiconductors, 52:7 (2018), 891–896 |
|
2017 |
| 6. |
В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 43:21 (2017), 3–9 ; V. V. Tregulov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “Defects with deep levels in a semiconductor structure of a photoelectric converter of solar energy with an antireflection film of porous silicon”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 955–957 |
3
|
|
2016 |
| 7. |
В. В. Трегулов, В. А. Степанов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния”, ЖТФ, 86:11 (2016), 91–94 ; V. V. Tregulov, V. A. Stepanov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “Specific features of current flow mechanisms in the semiconductor structure of a photoelectric converter with an $n^{+}$–$p$-junction and an antireflective porous silicon film”, Tech. Phys., 61:11 (2016), 1694–1697 |
4
|
| 8. |
О. С. Таларико, В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Исследование механизмов токопрохождения в тонких пластинах рубрена, изготовленных газотранспортным методом”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 16–22 ; O. S. Talarico, V. V. Tregulov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “An investigation of current-flow mechanisms in thin rubrene wafers prepared by the vapor transport method”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1107–1109 |
|
Обратная связь: