Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния

Исследована температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперной характеристики полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом на основе монокристаллического кремния и антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Обнаружено наличие нескольких механизмов токопрохождения. Установлено, что на процессы токопрохождения в исследуемой полупроводниковой структуре существенное влияние оказывают ловушки, возникающие при формировании пленки пористого кремния.