|
Журнал технической физики, 2016, том 86, выпуск 11, страницы 91–94
(Mi jtf6395)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Твердотельная электроника
Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния
В. В. Трегуловa, В. А. Степановa, В. Г. Литвиновb, А. В. Ермачихинb a Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина
b Рязанский государственный радиотехнический университет
Аннотация:
Исследована температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперной характеристики полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом на основе монокристаллического кремния и антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Обнаружено наличие нескольких механизмов токопрохождения. Установлено, что на процессы токопрохождения в исследуемой полупроводниковой структуре существенное влияние оказывают ловушки, возникающие при формировании пленки пористого кремния.
Поступила в редакцию: 05.04.2016
Образец цитирования:
В. В. Трегулов, В. А. Степанов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния”, ЖТФ, 86:11 (2016), 91–94; Tech. Phys., 61:11 (2016), 1694–1697
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6395 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v86/i11/p91
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 21 | PDF полного текста: | 6 |
|