Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 21, страницы 3–9
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.21.45155.16929 (Mi pjtf6079) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния

В. В. Трегуловa, В. Г. Литвиновb, А. В. Ермачихинb

a Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина
b Рязанский государственный радиотехнический университет
PDF полного текста (118 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.21.45155.16929
Аннотация: Методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе $p$–$n$-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Предложено объяснение влияния толщины пленки пористого кремния, формируемой методом электрохимического травления, на характер трансформации дефектов с глубокими уровнями и показатели эффективности преобразования солнечной энергии.
Поступила в редакцию: 27.06.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 11, Pages 955–957
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017110128
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 43:21 (2017), 3–9; Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 955–957
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TreLitErm17}
\by В.~В.~Трегулов, В.~Г.~Литвинов, А.~В.~Ермачихин
\paper Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 21
\pages 3--9
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6079}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.21.45155.16929}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30463255}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 11
\pages 955--957
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785017110128}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6079
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i21/p3
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024