|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния
В. В. Трегуловa, В. Г. Литвиновb, А. В. Ермачихинb a Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина
b Рязанский государственный радиотехнический университет
Аннотация:
Методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе $p$–$n$-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Предложено объяснение влияния толщины пленки пористого кремния, формируемой методом электрохимического травления, на характер трансформации дефектов с глубокими уровнями и показатели эффективности преобразования солнечной энергии.
Поступила в редакцию: 27.06.2017
Образец цитирования:
В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 43:21 (2017), 3–9; Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 955–957
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6079 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i21/p3
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 26 | PDF полного текста: | 6 |
|