Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 4, страницы 24–27
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47332.17597 (Mi pjtf5529) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением

В. В. Трегуловa, В. Г. Литвиновb, А. В. Ермачихинb

a Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина
b Рязанский государственный радиотехнический университет
PDF полного текста (105 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47332.17597
Аннотация: Методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $p$–$n$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, изготовленной с применением химического окрашивающего травления. Предложено объяснение влияния режимов формирования пленки пористого кремния на характер трансформации дефектов с глубокими уровнями и основные характеристики фотоэлектрического преобразователя.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.9506.2017/8.9
Представленные результаты получены в рамках выполнения государственного задания Министерства образования и науки РФ № 3.9506.2017/8.9 в Рязанском государственном университете им. С.А. Есенина.
Поступила в редакцию: 16.11.2018
Исправленный вариант: 16.11.2018
Принята в печать: 21.11.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 2, Pages 145–148
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019020342
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 24–27; Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 145–148
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TreLitErm19}
\by В.~В.~Трегулов, В.~Г.~Литвинов, А.~В.~Ермачихин
\paper Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 4
\pages 24--27
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5529}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47332.17597}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37481325}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 2
\pages 145--148
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019020342}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5529
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i4/p24
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024