Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1066–1071
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49944.9415 (Mi phts5139) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Квантовый выход двусторонних солнечных элементов типа HIT

А. В. Ермачихин, Ю. В. Воробьев, А. Д. Маслов, Е. П. Трусов, В. Г. Литвинов

Рязанский государственный радиотехнический университет
PDF полного текста (479 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49944.9415
Аннотация: Показано, что использование обеих сторон солнечных элементов, созданных с использованием гетеропереходной технологии, позволяет повысить эффективность солнечных элементов. Различие при освещении лицевой и тыльной сторон связано с преобразованием синего участка спектра, что показано на примере спектральной дисперсии квантового выхода. Средняя разница между квантовым выходом для двух сторон составила $\sim$11%. Плотность тока короткого замыкания для лицевой стороны при мощности солнечного спектра на уровне моря от 400 до 1100 нм равна 36.3 мА/см$^{2}$, а для тыльной стороны – 32.7 мА/см$^{2}$. Снижение составило 9.7%.
Ключевые слова: солнечные элементы, гетеропереходы, квантовый выход, диффузионный потенциал, напряжение холостого хода, ток короткого замыкания.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-623004
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ и Рязанской области в рамках научного проекта № 18-42-623004 с использованием оборудования Регионального центра зондовой микроскопии коллективного пользования при Рязанском государственном радиотехническом университете им. В.Ф. Уткина.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 27.04.2020
Принята в печать: 27.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1254–1259
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100085
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Ермачихин, Ю. В. Воробьев, А. Д. Маслов, Е. П. Трусов, В. Г. Литвинов, “Квантовый выход двусторонних солнечных элементов типа HIT”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1066–1071; Semiconductors, 54:10 (2020), 1254–1259
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ErmVorMas20}
\by А.~В.~Ермачихин, Ю.~В.~Воробьев, А.~Д.~Маслов, Е.~П.~Трусов, В.~Г.~Литвинов
\paper Квантовый выход двусторонних солнечных элементов типа HIT
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1066--1071
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5139}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49944.9415}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041216}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1254--1259
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100085}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5139
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1066
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:38
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024