|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT
С. П. Вихровa, Н. В. Вишняковa, В. В. Гудзевa, А. В. Ермачихинa, Д. В. Жилинаb, В. Г. Литвиновa, А. Д. Масловa, В. Г. Мишустинa, Е. И. Теруковbc, A. С. Титовbc a Рязанский государственный радиотехнический университет
b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты исследования солнечного элемента типа HIT Ag/ITO/$a$-Si:H$(p)$/$a$-Si:H$(i)$/$c$-Si$(n)$/$a$-Si:H$(i)$/$a$-Si:H($n^{+}$)/ITO/Ag методами вольт-фарадных характеристик и токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Исследованы температурная зависимость вольт-фарадных характеристик HIT-структуры и параметры глубоких энергетических уровней. Результаты комплексных исследований перечисленными методами были использованы для определения особенностей зонной диаграммы реальной HIT-структуры.
Поступила в редакцию: 08.06.2017 Принята в печать: 19.06.2017
Образец цитирования:
С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, В. В. Гудзев, А. В. Ермачихин, Д. В. Жилина, В. Г. Литвинов, А. Д. Маслов, В. Г. Мишустин, Е. И. Теруков, A. С. Титов, “Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 787–791; Semiconductors, 52:7 (2018), 926–930
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5791 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p787
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 18 |
|