|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
И. Е. Панайотти, “Влияние параметров кристаллической подложки на максимальную мощность кремниевых гетеропереходных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 20–23   |
|
2020 |
| 2. |
И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, И. С. Шахрай, “Метод расчета рабочих характеристик кремниевых гетеропереходных солнечных элементов с произвольными параметрами кристаллической подложки”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 3–5 ; I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, I. S. Shahray, “A method for calculating operating characteristics of silicon heterojunction solar cells with arbitrary parameters of crystalline substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 835–837 |
5
|
|
2019 |
| 3. |
И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, “Исследование влияния радиации на рекомбинационные потери в гетеропереходных солнечных элементах на основе монокристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 9–12 ; I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, “A study of the effect of radiation on recombination loss in heterojunction solar cells based on single-crystal silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 193–196 |
7
|
|
2018 |
| 4. |
Е. И. Теруков, А. С. Абрамов, Д. А. Андроников, К. В. Емцев, И. Е. Панайотти, A. С. Титов, Г. Г. Шелопин, “Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 792–795 ; E. I. Terukov, A. S. Abramov, D. A. Andronikov, K. V. Emtsev, I. E. Panaiotti, A. S. Titov, G. G. Shelopin, “Investigation of the characteristics of heterojunction solar cells based on thin single-crystal silicon wafers”, Semiconductors, 52:7 (2018), 931–933 |
5
|
|
2017 |
| 5. |
Г. С. Димитриев, В. Ф. Сапега, Н. С. Аверкиев, И. Е. Панайотти, K. H. Ploog, “Влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структурах с квантовыми ямами разбавленного магнитного полупроводника (Ga,Mn)As/AlAs”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2240–2245 ; G. S. Dimitriev, V. F. Sapega, N. S. Averkiev, I. E. Panaiotti, K. H. Ploog, “Confinement effect on hole polarization in (Ga,Mn)As/AlAs diluted magnetic semiconductor multiple quantum wells”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2262–2267 |
1
|
| 6. |
В. Н. Вербицкий, И. Е. Панайотти, С. Е. Никитин, А. В. Бобыль, Г. Г. Шелопин, Д. А. Андроников, А. С. Абрамов, А. В. Саченко, Е. И. Теруков, “Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 43:17 (2017), 3–11 ; V. N. Verbitskii, I. E. Panaiotti, S. E. Nikitin, A. V. Bobyl', G. G. Shelopin, D. A. Andronikov, A. S. Abramov, A. V. Sachenko, E. I. Terukov, “Electroluminescent study of the efficiency of silicon heterostructural solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 779–782 |
4
|
|
2016 |
| 7. |
А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, “Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 259–263 ; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, “Method for optimizing the parameters of heterojunction photovoltaic cells based on crystalline silicon”, Semiconductors, 50:2 (2016), 257–260 |
10
|
| 8. |
А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, P. М. Коркишко, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, С. Н. Аболмасов, Д. А. Андроников, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, A. С. Титов, М. З. Шварц, “Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 70–76 ; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, V. P. Kostylyov, R. M. Korkishko, I. O. Sokolovskyi, A. S. Abramov, S. N. Abolmasov, D. A. Andronikov, A. V. Bobyl', I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, A. S. Titov, M. Z. Shvarts, “The temperature dependence of the characteristics of crystalline-silicon-based heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 313–316 |
7
|
|
Обратная связь: