|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 259–263
(Mi phts6549)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния
А. В. Саченкоa, Ю. В. Крюченкоa, В. П. Костылевa, И. О. Соколовскийa, А. С. Абрамовb, А. В. Бобыльc, И. Е. Панайоттиc, Е. И. Теруковbc a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Научно-технический центр тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Предложен подход к расчету оптимальных параметров гетеропереходных солнечных элементов на основе кремния, ключевой особенностью которых является низкая скорость рекомбинационных процессов по сравнению с прямозонными полупроводниками. Показано, что при сравнительно небольших концентрациях основных носителей заряда ($N_{d}$ $\sim$ 10$^{15}$ см$^{-3}$) концентрация избыточных носителей заряда может быть сравнимой или большей $N_{d}$. В этом случае величина кпд $\eta$ не зависит от $N_{d}$. При более высоких значениях $N_{d}$ зависимость $\eta(N_{d})$ определяют две противоборствующие тенденции. Одна из них способствует росту величины $\eta$ с увеличением $N_{d}$, а другая, связанная с рекомбинацией Оже, ведет к уменьшению $\eta$. В работе определено оптимальное значение $N_{d}\approx$ 2 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$, при котором величина $\eta$ такого элемента максимальна. Показано, что максимальная величина $\eta$ на 1.5–2% превышает значение $\eta$ при 10$^{15}$ см$^{-3}$.
Поступила в редакцию: 27.05.2015 Принята в печать: 09.06.2015
Образец цитирования:
А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, “Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 259–263; Semiconductors, 50:2 (2016), 257–260
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6549 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p259
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 15 |
|