|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Исследование влияния радиации на рекомбинационные потери в гетеропереходных солнечных элементах на основе монокристаллического кремния
И. Е. Панайоттиa, Е. И. Теруковbc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
Аннотация:
Разработан метод численной оценки роста рекомбинационных потерь в кремниевых гетеропереходных солнечных элементах вследствие радиационного воздействия. Расчеты основаны на анализе экспериментальных значений токов короткого замыкания. Предложенная модель позволяет оценивать степень деградации полупроводниковых структур путем вычисления уменьшения объемного времени жизни и диффузионной длины носителей заряда. Полученные результаты имеют практическую ценность для изучения возможности эксплуатации данного типа солнечных элементов в космических условиях.
Поступила в редакцию: 28.11.2018 Исправленный вариант: 28.11.2018 Принята в печать: 05.12.2018
Образец цитирования:
И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, “Исследование влияния радиации на рекомбинационные потери в гетеропереходных солнечных элементах на основе монокристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 9–12; Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 193–196
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5507 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i5/p9
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 17 |
|