|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния
Е. И. Теруковab, А. С. Абрамовb, Д. А. Андрониковb, К. В. Емцевb, И. Е. Панайоттиa, A. С. Титовab, Г. Г. Шелопинb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
Аннотация:
Проведено экспериментальное исследование рабочих характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе пластин монокристаллического кремния уменьшенной толщины. Установлено, что при уменьшении толщины кремниевых пластин на 40% по сравнению со стандартными значениями происходит ухудшение эффективности фотоэлектрического преобразования до 5%. Полученные результаты имеют практическую ценность для оценки коммерческой целесообразности производства солнечных элементов уменьшенной толщины.
Поступила в редакцию: 30.11.2017 Принята в печать: 11.12.2017
Образец цитирования:
Е. И. Теруков, А. С. Абрамов, Д. А. Андроников, К. В. Емцев, И. Е. Панайотти, A. С. Титов, Г. Г. Шелопин, “Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 792–795; Semiconductors, 52:7 (2018), 931–933
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5792 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p792
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 21 |
|