Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 792–795
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46054.8781 (Mi phts5792) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния

Е. И. Теруковab, А. С. Абрамовb, Д. А. Андрониковb, К. В. Емцевb, И. Е. Панайоттиa, A. С. Титовab, Г. Г. Шелопинb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
PDF полного текста (559 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46054.8781
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование рабочих характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе пластин монокристаллического кремния уменьшенной толщины. Установлено, что при уменьшении толщины кремниевых пластин на 40% по сравнению со стандартными значениями происходит ухудшение эффективности фотоэлектрического преобразования до 5%. Полученные результаты имеют практическую ценность для оценки коммерческой целесообразности производства солнечных элементов уменьшенной толщины.
Поступила в редакцию: 30.11.2017
Принята в печать: 11.12.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 931–933
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618070230
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. И. Теруков, А. С. Абрамов, Д. А. Андроников, К. В. Емцев, И. Е. Панайотти, A. С. Титов, Г. Г. Шелопин, “Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 792–795; Semiconductors, 52:7 (2018), 931–933
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerAbrAnd18}
\by Е.~И.~Теруков, А.~С.~Абрамов, Д.~А.~Андроников, К.~В.~Емцев, И.~Е.~Панайотти, A.~С.~Титов, Г.~Г.~Шелопин
\paper Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 792--795
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5792}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46054.8781}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269414}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 931--933
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618070230}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5792
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p792
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025