|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Метод расчета рабочих характеристик кремниевых гетеропереходных солнечных элементов с произвольными параметрами кристаллической подложки
И. Е. Панайоттиa, Е. И. Теруковbc, И. С. Шахрайdb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
d ГК "Хевел", Москва, Россия
Аннотация:
Исследованы особенности токовых процессов в кремниевых гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах. Предложенная модель учитывает амбиполярный характер движения носителей заряда и позволяет рассчитывать рабочие характеристики при произвольном соотношении между длиной диффузии и толщиной кристаллической подложки. Описан численный метод оценки скорости рекомбинационных потерь на поверхностях кремниевых пластин, основанный на сравнительном анализе экспериментальных значений токов короткого замыкания и напряжений холостого хода.
Ключевые слова:
гетеропереходные солнечные элементы, кристаллические кремниевые подложки, поверхностные рекомбинационные потери.
Поступила в редакцию: 15.05.2020 Исправленный вариант: 15.05.2020 Принята в печать: 19.05.2020
Образец цитирования:
И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, И. С. Шахрай, “Метод расчета рабочих характеристик кремниевых гетеропереходных солнечных элементов с произвольными параметрами кристаллической подложки”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 3–5; Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 835–837
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4999 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i17/p3
|
|