|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Л. И. Горай, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, В. А. Шаров, К. Ю. Шубина, Е. В. Пирогов, А. С. Дашков, А. В. Нащекин, М. В. Зорина, М. М. Барышева, С. А. Гарахин, С. Ю. Зуев, Н. И. Чхало, “Изготовление и тестирование в мягком рентгеновском и ЭУФ диапазонах дифракционных решеток с Au- и многослойным Mo/Si-покрытиями и с блеском в высоких порядках”, Квантовая электроника, 52:10 (2022), 955–962  [L. I. Goray, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, V. A. Sharov, K. Yu. Shubina, E. V. Pirogov, A. S. Dashkov, A. V. Nashchekin, M. V. Zorina, M. M. Barysheva, S. A. Garakhin, S. Yu. Zuev, N. I. Chkhalo, “Fabrication and testing of Au- and multilayer Mo/Si-coated diffraction gratings with high-order brilliance in high orders in the soft X-ray and EUV ranges”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 2 (2023), S250–S261] |
2
|
|
2021 |
| 2. |
Л. И. Горай, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, В. А. Шаров, К. Ю. Шубина, Е. В. Пирогов, А. С. Дашков, “Дифракционные решетки с блеском, получаемые на пластинах Si – первые результаты”, ЖТФ, 91:10 (2021), 1538–1547  |
3
|
|
2019 |
| 3. |
А. М. Мизеров, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. Д. Буравлев, “Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2289–2293 ; A. M. Mizerov, S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. D. Bouravlev, “Method for controlling the polarity of gallium nitride layers in epitaxial synthesis of GaN/AlN heterostructures on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2277–2281 |
4
|
| 4. |
Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, А. М. Мизеров, А. Д. Буравлев, “Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1726–1732 ; D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, A. M. Mizerov, A. D. Bouravlev, “The metal-assisted photochemical etching of N- and Ga-face GaN epitaxial layers”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1717–1723 |
3
|
| 5. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, К. Ю. Шубин, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. Д. Буравлев, “Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1212–1217 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, K. Yu. Shubin, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. D. Bouravlev, “On the specific features of the plasma-assisted mbe synthesis of $n^{+}$-GaN layers on GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ templates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1187–1191 |
4
|
|
2018 |
| 6. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, И. В. Штром, А. Д. Буравлев, “Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1425–1429 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, “Features of the initial stage of GaN growth on Si(111) substrates by nitrogen-plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1529–1533 |
17
|
|
2017 |
| 7. |
К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, “Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)”, Письма в ЖТФ, 43:21 (2017), 47–54 ; K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, “The effect of nitridation parameters and initial growth conditions on the polarity of GaN epitaxial layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 976–978 |
5
|
| 8. |
Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, С. Н. Тимошнев, В. М. Устинов, “Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 87–94 ; D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, S. N. Timoshnev, V. M. Ustinov, “Precision calibration of the silicon doping level in gallium arsenide epitaxial layers”, Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 909–911 |
1
|
| 9. |
Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Т. Н. Березовская, “Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 97–102 ; E. V. Nikitina, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, T. N. Berezovskaya, “The influence of metamorphic-buffer layer design on the retention of characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic HEMT”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 863–865 |
1
|
|
Обратная связь: