|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)
К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследована зависимость кристаллографической полярности эпитаксиальных слоев GaN, полученных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111), от параметров нитридизации и начальных условий роста. Разработана экспресс-методика определения полярности эпитаксиальных слоев GaN. Экспериментально установлено, что параметры нитридизации кремниевой подложки не влияют на полярность слоя GaN. Показано, что температура нагрева подложки на этапе зарождения эпитаксиального слоя GaN является одним из факторов, определяющих его полярность.
Поступила в редакцию: 28.03.2017
Образец цитирования:
К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, “Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)”, Письма в ЖТФ, 43:21 (2017), 47–54; Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 976–978
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6085 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i21/p47
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 10 |
|