|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. А. Ложкина, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, А. Н. Смирнов, В. П. Улин, “Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов”, ЖТФ, 91:9 (2021), 1381–1392   ; D. A. Lozhkina, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, A. V. Parfeneva, A. M. Rumyantsev, A. N. Smirnov, V. P. Ulin, “Silicon monoxide carbonized by fluorocarbon as a composite material for anodes of lithium-ion batteries”, Tech. Phys., 66:11 (2021), 1228–1240  |
4
|
| 2. |
А. Е. Маричев, В. С. Эполетов, А. С. Власов, Б. В. Пушный, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, “Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP”, Письма в ЖТФ, 47:22 (2021), 52–54 |
| 3. |
Н. В. Крыжановская, И. А. Мельниченко, А. С. Букатин, А. А. Корнев, Н. А. Филатов, С. А. Щербак, А. А. Липовский, А. С. Драгунова, М. М. Кулагина, А. И. Лихачев, М. В. Фетисова, И. В. Редуто, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды”, Письма в ЖТФ, 47:19 (2021), 30–33 |
1
|
|
2020 |
| 4. |
О. М. Сресели, Н. А. Берт, В. Н. Неведомский, А. И. Лихачев, И. Н. Яссиевич, А. В. Ершов, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Б. А. Андреев, А. Н. Яблонский, “Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 129–137 ; O. M. Sreseli, N. A. Bert, V. N. Nevedomskiy, A. I. Lihachev, I. N. Yassievich, A. V. Ershov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, B. A. Andreev, A. N. Yablonskii, “Ge/Si core/shell quantum dots in an alumina matrix: influence of the annealing temperature on the optical properties”, Semiconductors, 54:2 (2020), 181–189 |
4
|
|
2019 |
| 5. |
А. В. Редьков, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, К. П. Котляр, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, И. П. Сошников, “Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 433–440 ; A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, K. P. Kotlyar, A. I. Lihachev, A. V. Nashchekin, I. P. Soshnikov, “Studying evolution of the ensemble of micropores in a SiC/Si structure during its growth by the method of atom substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 299–306 |
15
|
| 6. |
А. И. Лихачев, А. Н. Нащекин, Р. В. Соколов, С. Г. Конников, “Определение толщин и визуализация ионообменных волноводов в стеклах методом растровой электронной микроскопии”, ЖТФ, 89:3 (2019), 456–459 ; A. I. Lihachev, A. V. Nashchekin, R. V. Sokolov, S. G. Konnikov, “Determination of the thicknesses and visualization of ion-exchange waveguides in glasses by scanning electron microscopy”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 418–421 |
1
|
| 7. |
Г. В. Ли, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, “Фотоанодирование $n$-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 119–131 ; G. V. Li, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, “Photoanodization of $n$-Si in the presence of hydrogen peroxide: voltage dependence”, Semiconductors, 53:1 (2019), 114–126 |
1
|
|
2018 |
| 8. |
Т. Э. Кулешова, А. И. Лихачев, Е. С. Павлова, Д. О. Кулешов, А. В. Нащекин, Н. Р. Галль, “Взаимосвязь спектров поглощения пигментов растений и светодиодного освещения с различным спектральным составом”, ЖТФ, 88:9 (2018), 1285–1289 ; T. È. Kuleshova, A. I. Lihachev, E. S. Pavlova, D. O. Kuleshov, A. V. Nashchekin, N. R. Gall', “Interrelation of absorption spectra of plant pigments and led lighting with different spectral compositions”, Tech. Phys., 63:9 (2018), 1243–1247 |
4
|
| 9. |
Г. В. Ли, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, “Влияние перекиси водорода на фотоанодирование $n$-Si в режиме пробоя”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1614–1624 ; G. V. Li, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, “Influence of hydrogen peroxide on the photoanodization of $n$-Si in the breakdown mode”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1721–1731 |
4
|
|
Обратная связь: