|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
К. С. Журавлев, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, М. С. Аксенов, А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, “Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 91:7 (2021), 1158–1163   ; K. S. Zhuravlev, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. S. Aksenov, A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, “High-power microwave photodiodes based on MBE-grown InAlAs/InGaAs heterostructures”, Tech. Phys., 66:9 (2021), 1072–1077  |
4
|
|
2020 |
| 2. |
И. Б. Чистохин, К. Б. Фрицлер, “Влияние условий формирования геттера в высокоомном кремнии на характеристики PIN-фотодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 11–13 ; I. B. Chistokhin, K. B. Fritzler, “The influence of the conditions of getter formation in high-resistivity silicon on the characteristics of PIN photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1057–1059 |
4
|
|
2019 |
| 3. |
М. А. Путято, Н. А. Валишева, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, А. В. Васев, А. Ф. Скачков, Г. И. Юрко, И. И. Нестеренко, “Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1071–1078 ; M. A. Putyato, N. A. Valisheva, M. O. Petrushkov, V. V. Preobrazhenskii, I. B. Chistokhin, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, A. V. Vasev, A. F. Skachkov, G. I. Yurko, I. I. Nesterenko, “A lightweight flexible solar cell based on a heteroepitaxial InGaP/GaAs structure”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1010–1016 |
4
|
| 4. |
А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, К. С. Журавлев, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Н. А. Валишева, М. С. Аксенов, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, “Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 52–54 ; A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, K. S. Zhuravlev, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, N. A. Valisheva, M. S. Aksenov, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, “High-power high-speed Schottky photodiodes for analog fiber-optic microwave signal transmission lines”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 739–741 |
11
|
| 5. |
И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, И. В. Марчишин, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 59–62 ; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “The influence of the InAlAs layer surface morphology on the temperature dependence of parameters of Au/Ti/$n$-InAlAs (001) Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 180–184 |
2
|
|
2018 |
| 6. |
М. О. Петрушков, М. А. Путято, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, А. В. Васев, В. В. Преображенский, “Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 44:14 (2018), 19–25 ; M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, I. B. Chistokhin, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, M. Yu. Yesin, T. A. Gavrilova, A. V. Vasev, V. V. Preobrazhenskii, “Zinc diffusion into InP via a narrow gap from a planar Zn$_{3}$P$_{2}$-based source”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 612–614 |
2
|
|
2017 |
| 7. |
И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, А. А. Гузев, “Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017), 83–89 ; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, K. S. Zhuravlev, A. A. Guzev, “Features of current flow in structures based on Au/Ti/$n$-InAlAs Schottky barriers”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 581–583 |
|
Обратная связь: