Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 21, страницы 11–13
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.21.50188.18455 (Mi pjtf4945) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Влияние условий формирования геттера в высокоомном кремнии на характеристики PIN-фотодиодов

И. Б. Чистохин, К. Б. Фрицлер

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (152 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.21.50188.18455
Аннотация: Изучено влияние условий геттерирования в высокоомном кремнии при изготовлении PIN-фотодиодов на обратные темновые токи. Показано, что геттерирование путем использования комбинации ионного легирования фосфором и нанесения поликремниевой пленки с последующим легированием фосфором при температурах менее 900$^\circ$С обратной стороны подложки приводит к пониженным значениям обратного темнового тока и увеличению времени жизни неравновесных носителей.
Ключевые слова: геттерирование, PIN-фотодиод, высокоомный кремний, темновые токи.
Поступила в редакцию: 06.07.2020
Исправленный вариант: 20.07.2020
Принята в печать: 23.07.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 11, Pages 1057–1059
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020110048
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Б. Чистохин, К. Б. Фрицлер, “Влияние условий формирования геттера в высокоомном кремнии на характеристики PIN-фотодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 11–13; Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1057–1059
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChiFri20}
\by И.~Б.~Чистохин, К.~Б.~Фрицлер
\paper Влияние условий формирования геттера в высокоомном кремнии на характеристики PIN-фотодиодов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 21
\pages 11--13
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4945}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.21.50188.18455}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44367763}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 11
\pages 1057--1059
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020110048}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4945
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i21/p11
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024