|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, Д. С. Пономарев, Р. Р. Галиев, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. Н. Клочков, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 989–994   |
1
|
|
2020 |
| 2. |
А. Н. Клочков, Е. А. Климов, П. М. Солянкин, М. Р. Конникова, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. П. Шкуринов, Г. Б. Галиев, “Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 1004–1011 ; A. N. Klochkov, E. A. Klimov, P. M. Solyankin, M. R. Konnikova, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, A. P. Shkurinov, G. B. Galiev, “Thz radiation of photoconductive antennas based on $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ superlattice structures”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 1010–1017 |
5
|
|
2019 |
| 3. |
А. Н. Виниченко, Д. А. Сафонов, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 359–364 ; A. N. Vinichenko, D. A. Safonov, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron-quantum transport in pseudomorphic and metamorphic In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As-based quantum wells”, Semiconductors, 53:3 (2019), 339–344 |
|
2018 |
| 4. |
С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, Е. В. Ильченко, В. Н. Неверов, А. П. Савельев, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, “Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1447–1454 ; S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, E. V. Ilchenko, V. N. Neverov, A. P. Savelyev, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Nonuniversal scaling behavior of conductivity peak widths in the quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs structures”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1551–1558 |
5
|
| 5. |
I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, N. A. Khval'kovskiy, S. K. Paprotskiy, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Transport in short-period GaAs/AlAs superlattices with electric domains”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 472 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 473–477 |
1
|
| 6. |
Д. А. Сафонов, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 201–206 ; D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron transport in phemt AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ quantum wells at different temperatures: influence of one-side $\delta$-Si doping”, Semiconductors, 52:2 (2018), 189–194 |
9
|
| 7. |
Д. А. Сафонов, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне $\delta$-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 120–127 ; D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron effective mass and momentum relaxation time in one-sided $\delta$-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with high electron density”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1174–1176 |
2
|
| 8. |
Д. А. Сафонов, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем $\delta$-легировании”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 34–41 ; D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Peculiarities of silicon-donor ionization and electron scattering in pseudomorphous AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with heavy unilateral $\delta$-doping”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 145–148 |
3
|
| 9. |
С. А. Номоев, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, К. И. Козловский, А. А. Чистяков, Е. Д. Мишина, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, “Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:2 (2018), 11–17 ; S. A. Nomoev, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, K. I. Kozlovskii, A. A. Chistyakov, E. D. Mishina, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, “The influence of the annealing regime on the properties of terahertz antennas based on low-temperature-grown gallium arsenide”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 44–46 |
5
|
|
2017 |
| 10. |
Г. Б. Галиев, А. Н. Клочков, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. Н. Виниченко, Р. А. Хабибуллин, П. П. Мальцев, “Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 792–797 ; G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev, “Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates”, Semiconductors, 51:6 (2017), 760–765 |
|
2016 |
| 11. |
С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, А. П. Савельев, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, “Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1669–1674 ; S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, A. P. Savelyev, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Quantum Hall effect and hopping conductivity in $n$-InGaAs/InAlAs nanoheterostructures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1641–1646 |
2
|
| 12. |
И. С. Васильевский, С. С. Пушкарев, М. М. Грехов, А. Н. Виниченко, Д. В. Лаврухин, О. С. Коленцова, “Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 567–573 ; I. S. Vasil'evskii, S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, A. N. Vinichenko, D. V. Lavrukhin, O. S. Kolentsova, “Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the $\omega$-scanning mode”, Semiconductors, 50:4 (2016), 559–565 |
8
|
|
Обратная связь: