|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Ультрафиолетовая, инфракрасная и терагерцовая оптика
Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$
А. Н. Клочковa, Е. А. Климовa, П. М. Солянкинb, М. Р. Конниковаb, И. С. Васильевскийc, А. Н. Виниченкоc, А. П. Шкуриновbde, Г. Б. Галиевa a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
b Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН – филиал Федерального государственного учреждения – Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Шатура, Московская обл., Россия
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
d Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
e Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация:
Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs : Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs : Si. При мощности оптической накачки 19 mW и напряжении смещения 30 V фотопроводящая антенна на оптимизированной структуре $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ (111)А испускала ТГц импульсы со средней мощностью 2.3 $\mu$W при частоте следования импульсов 80 MHz, эффективность преобразования составила 1.2 $\cdot$ 10$^{-4}$. Показано, что зависимость интегральной мощности ТГц импульсов антенны на основе $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ (111)А структуры от приложенного напряжения является суперлинейной, а от мощности оптической накачки имеет вид кривой насыщения. Показана возможность практического применения полученных антенн для задач терагерцовой спектроскопии биологических растворов.
Ключевые слова:
импульсная терагерцовая спектроскопия, фотопроводящая антенна, низкотемпературный GaAs.
Поступила в редакцию: 16.12.2019 Исправленный вариант: 13.01.2020 Принята в печать: 28.02.2020
Образец цитирования:
А. Н. Клочков, Е. А. Климов, П. М. Солянкин, М. Р. Конникова, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. П. Шкуринов, Г. Б. Галиев, “Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 1004–1011; Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 1010–1017
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/os379 https://www.mathnet.ru/rus/os/v128/i7/p1004
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 30 | PDF полного текста: | 10 |
|