Оптика и спектроскопия
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Оптика и спектроскопия:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Оптика и спектроскопия, 2020, том 128, выпуск 7, страницы 1004–1011
DOI: https://doi.org/10.21883/OS.2020.07.49574.17-20 (Mi os379) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Ультрафиолетовая, инфракрасная и терагерцовая оптика

Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$

А. Н. Клочковa, Е. А. Климовa, П. М. Солянкинb, М. Р. Конниковаb, И. С. Васильевскийc, А. Н. Виниченкоc, А. П. Шкуриновbde, Г. Б. Галиевa

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
b Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН – филиал Федерального государственного учреждения – Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Шатура, Московская обл., Россия
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
d Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
e Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
PDF полного текста (457 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/OS.2020.07.49574.17-20
Аннотация: Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs : Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs : Si. При мощности оптической накачки 19 mW и напряжении смещения 30 V фотопроводящая антенна на оптимизированной структуре $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ (111)А испускала ТГц импульсы со средней мощностью 2.3 $\mu$W при частоте следования импульсов 80 MHz, эффективность преобразования составила 1.2 $\cdot$ 10$^{-4}$. Показано, что зависимость интегральной мощности ТГц импульсов антенны на основе $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ (111)А структуры от приложенного напряжения является суперлинейной, а от мощности оптической накачки имеет вид кривой насыщения. Показана возможность практического применения полученных антенн для задач терагерцовой спектроскопии биологических растворов.
Ключевые слова: импульсная терагерцовая спектроскопия, фотопроводящая антенна, низкотемпературный GaAs.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-32-20207 мол-а-вед
17-00-00275
17-00-00270
19-52-55004 Китай_а
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ в части изготовления эпитаксиальных структур и ФПА (грант № 18-32-20207 мол-а-вед) и спектроскопии водных растворов белков (грант № 17-00-00275 (17-00-00270) и № 19-52-55004 Китай_а), а также при поддержке Министерства науки и высшего образования в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН в части исследования процесса преобразования ФПА лазерного излучения ближнего ИК диапазона в терагерцовое излучение.
Поступила в редакцию: 16.12.2019
Исправленный вариант: 13.01.2020
Принята в печать: 28.02.2020
Англоязычная версия:
Optics and Spectroscopy, 2020, Volume 128, Issue 7, Pages 1010–1017
DOI: https://doi.org/10.1134/S0030400X20070097
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Клочков, Е. А. Климов, П. М. Солянкин, М. Р. Конникова, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. П. Шкуринов, Г. Б. Галиев, “Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 1004–1011; Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 1010–1017
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KloKliSol20}
\by А.~Н.~Клочков, Е.~А.~Климов, П.~М.~Солянкин, М.~Р.~Конникова, И.~С.~Васильевский, А.~Н.~Виниченко, А.~П.~Шкуринов, Г.~Б.~Галиев
\paper Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$
\jour Оптика и спектроскопия
\yr 2020
\vol 128
\issue 7
\pages 1004--1011
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/os379}
\crossref{https://doi.org/10.21883/OS.2020.07.49574.17-20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43870295}
\transl
\jour Optics and Spectroscopy
\yr 2020
\vol 128
\issue 7
\pages 1010--1017
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0030400X20070097}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/os379
  • https://www.mathnet.ru/rus/os/v128/i7/p1004
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Оптика и спектроскопия Оптика и спектроскопия
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024