Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 2, страницы 11–17
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.02.45459.16947 (Mi pjtf5902) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs

С. А. Номоевa, И. С. Васильевскийa, А. Н. Виниченкоa, К. И. Козловскийa, А. А. Чистяковa, Е. Д. Мишинаb, Д. И. Хусяиновb, А. М. Буряковb

a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
b МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
PDF полного текста (125 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.02.45459.16947
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены пленки LT-GaAs (low temperature gallium arsenide – арсенид галлия, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре роста) на подложках GaAs(100) при температуре 230$^\circ$C и проведен постростовый отжиг. На поверхности пленок изготовлены фотопроводящие антенны с флажковой геометрией. Получены мощностные зависимости терагерцевого отклика при различных значениях напряжения смещения и температуры постростового отжига. Методом терагерцевой спектроскопии исследованы спектральные характеристики изготовленных фотопроводящих антенн. Определен диапазон оптимальной температуры постростового отжига (670–720$^\circ$C) пленок LT-GaAs.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.7331.2017/9.10
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-14029 офи_м
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (государственное задание № 3.7331.2017/9.10), РФФИ (проект № 16-29-14029 офи_м) и программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ.
Поступила в редакцию: 03.07.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 1, Pages 44–46
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018010169
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Номоев, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, К. И. Козловский, А. А. Чистяков, Е. Д. Мишина, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, “Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:2 (2018), 11–17; Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 44–46
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NomVasVin18}
\by С.~А.~Номоев, И.~С.~Васильевский, А.~Н.~Виниченко, К.~И.~Козловский, А.~А.~Чистяков, Е.~Д.~Мишина, Д.~И.~Хусяинов, А.~М.~Буряков
\paper Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 2
\pages 11--17
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5902}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.02.45459.16947}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32737553}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 1
\pages 44--46
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018010169}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5902
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i2/p11
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024