|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
И. В. Илькив, К. П. Котляр, Д. А. Кириленко, А. В. Осипов, И. П. Сошников, А. Н. Терпицкий, Г. Э. Цырлин, “Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 621–624   ; I. V. Ilkiv, K. P. Kotlyar, D. A. Kirilenko, A. V. Osipov, I. P. Sotnikov, A. N. Terpitsky, G. E. Cirlin, “Formation of hexagonal germanium on AlGaAs nanowire surfaces by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 55:8 (2021), 678–681 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. О. Михайлов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1507–1511 ; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. O. Mikhailov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, I. V. Ilkiv, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Electrical properties of GaAs nanowires grown on graphene/SiC hybrid substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1611–1615 |
3
|
| 3. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1317–1320 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 |
2
|
| 4. |
Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, Д. А. Кириленко, Н. В. Крыжановская, “Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1304–1307 ; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Sotnikov, D. A. Kirilenko, N. V. Kryzhanovskaya, “Phosphorus-based nanowires grown by molecular-beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1416–1419 |
2
|
|
2016 |
| 5. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1886–1889 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, G. E. Cirlin, “Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955 |
11
|
|
Обратная связь: