|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
E. I. Girshova, G. Pozina, A. V. Belonovskii, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, V. P. Evtikhiev, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevskii, “Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity”, Письма в ЖЭТФ, 115:10 (2022), 611–612   ; JETP Letters, 115:10 (2022), 574–580 |
1
|
|
2021 |
| 2. |
А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Д. И. Курицын, В. В. Дюделев, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, С. В. Морозов, Г. С. Соколовский, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1081–1085  ; A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, G. V. Voznyuk, M. I. Mitrofanov, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, D. I. Kuritsyn, V. V. Dyudelev, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, V. P. Evtikhiev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, S. V. Morozov, G. S. Sokolovskii, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Quantum-cascade laser with radiation output through a textured layer”, Semiconductors, 56:1 (2022), 1–4 |
| 3. |
А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, Н. Ю. Харин, В. Ю. Паневин, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 602–606 ; A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, G. V. Voznyuk, M. I. Mitrofanov, N. Yu. Kharin, V. Yu. Panevin, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, V. P. Evtikhiev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Surface emitting quantum-cascade ring laser”, Semiconductors, 55:7 (2021), 591–594 |
2
|
| 4. |
А. С. Паюсов, М. И. Митрофанов, Г. О. Корнышов, А. А. Серин, Г. В. Вознюк, М. М. Кулагина, В. П. Евтихиев, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, S. Breuer, “Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 51–54 |
|
2020 |
| 5. |
M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, S. N. Rodin, W. V. Lundin, V. P. Evtikhiev, A. F. Tsatsulnikov, M. A. Kaliteevski, “Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1390 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1682–1684 |
4
|
| 6. |
А. В. Бабичев, Д. А. Пашнев, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Г. В. Вознюк, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, М. И. Митрофанов, В. П. Евтихиев, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления”, Письма в ЖТФ, 46:7 (2020), 8–11 ; A. V. Babichev, D. A. Pashnev, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, G. V. Voznyuk, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, M. I. Mitrofanov, V. P. Evtikhiev, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Quantum-cascade lasers with a distributed Bragg reflector formed by ion-beam etching”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 312–315 |
8
|
|
2019 |
| 7. |
Я. В. Левицкий, М. И. Митрофанов, Г. В. Вознюк, Д. Н. Николаев, М. Н. Мизеров, В. П. Евтихиев, “Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1579–1583 ; Ya. V. Levitskii, M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, D. N. Nikolaev, M. N. Mizerov, V. P. Evtikhiev, “Changes in the photoluminescence properties of semiconductor heterostructures after ion-beam etching”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1545–1549 |
2
|
|
2018 |
| 8. |
М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, Г. В. Вознюк, Е. Е. Татаринов, С. Н. Родин, М. А. Калитеевский, В. П. Евтихиев, “Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 816–818 ; M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, E. E. Tatarinov, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevskii, V. P. Evtikhiev, “Concentric hexagonal GaN structures for nanophotonics, fabricated by selective vapor-phase epitaxy with ion-beam etching”, Semiconductors, 52:7 (2018), 954–956 |
2
|
|
Обратная связь: