|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, “Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 420–426   ; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, “Formation and optical properties of locally strained Ge microstructures embedded into cavities”, Semiconductors, 55:6 (2021), 531–536 |
|
2020 |
| 2. |
А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, М. В. Степихова, С. М. Сергеев, Н. А. Байдакова, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник, “Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1150–1157 ; A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, S. M. Sergeev, N. A. Baidakova, M. V. Shaleev, Z. F. Krasil'nik, “Kinetics of the luminescence response of self-assembled Ge(Si) nanoislands embedded in two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1352–1359 |
2
|
| 3. |
Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, “Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 685–690 ; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, “Influence of the growth conditions and doping level on the luminescence kinetics of Ge:Sb layers grown on silicon”, Semiconductors, 54:7 (2020), 811–816 |
1
|
|
2019 |
| 4. |
Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Н. С. Гусев, А. И. Машин, Е. Е. Морозова, А. В. Нежданов, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, Д. В. Шенгуров, А. Н. Яблонский, “Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1360–1365 ; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, A. I. Mashin, E. E. Morozova, A. V. Nezhdanov, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, “Locally strained Ge/SOI structures with improved heat sink as an active media for silicon optoelectronics”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1324–1328 |
1
|
| 5. |
А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, П. А. Бушуйкин, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, М. А. Калинников, З. Ф. Красильник, “Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1354–1359 ; A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, P. A. Bushuikin, B. A. Andreev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, A. N. Yablonskii, M. A. Kalinnikov, Z. F. Krasil'nik, “Comparative analysis of luminescence properties of Ge : Sb layers grown on Ge(001) and Si(001) substrates”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1318–1323 |
1
|
| 6. |
Д. С. Прохоров, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, Д. О. Филатов, А. В. Здоровейщев, В. Ю. Чалков, А. В. Зайцев, М. В. Ведь, М. В. Дорохин, Н. А. Байдакова, “Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1293–1296 ; D. S. Prokhorov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, D. O. Filatov, A. V. Zdoroveyshchev, V. Yu. Chalkov, A. V. Zaitsev, M. V. Ved, M. V. Dorokhin, N. A. Baidakova, “Enhanced photoluminescence of heavily doped $n$-Ge/Si(001) layers”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1262–1265 |
| 7. |
Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, М. Н. Дроздов, Е. Е. Морозова, М. А. Калинников, А. В. Новиков, “Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 897–902 ; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, M. N. Drozdov, E. E. Morozova, M. A. Kalinnikov, A. V. Novikov, “Influence of annealing on the properties of Ge:Sb/Si(001) layers with an antimony concentration above its equilibrium solubility in germanium”, Semiconductors, 53:7 (2019), 882–886 |
3
|
|
2018 |
| 8. |
А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Е. В. Скороходов, В. А. Вербус, А. Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, Н. С. Гусев, К. Е. Кудрявцев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, “Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1331–1336 ; A. V. Novikov, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, E. V. Skorokhodov, V. A. Verbus, A. N. Yablonskii, N. A. Baidakova, N. S. Gusev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, “Formation and properties of locally tensile strained Ge microstructures for silicon photonics”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1442–1447 |
3
|
|
2017 |
| 9. |
Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Е. Е. Морозова, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1599–1604 ; N. A. Baidakova, V. A. Verbus, E. E. Morozova, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Selective etching of Si, SiGe, Ge and its usage for increasing the efficiency of silicon solar cells”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1542–1546 |
10
|
|
2016 |
| 10. |
Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1685–1689 ; N. A. Baidakova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence of structures with self-assembled Ge(Si) nanoislands confined between strained Si layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1657–1661 |
1
|
| 11. |
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова, “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1610–1614 ; V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. R. Tuktamyshev, M. Yu. Yesin, V. I. Mashanov, A. K. Gutakovskii, N. A. Baidakova, “Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1584–1588 |
5
|
|
Обратная связь: