Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Парфеньева Алеся Витальевна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 7
Научных статей: 7

Статистика просмотров:
Эта страница:74
Страницы публикаций:363
Полные тексты:189

https://www.mathnet.ru/rus/person183091
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. Д. А. Ложкина, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, А. Н. Смирнов, В. П. Улин, “Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов”, ЖТФ, 91:9 (2021),  1381–1392  mathnet  elib; D. A. Lozhkina, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, A. V. Parfeneva, A. M. Rumyantsev, A. N. Smirnov, V. P. Ulin, “Silicon monoxide carbonized by fluorocarbon as a composite material for anodes of lithium-ion batteries”, Tech. Phys., 66:11 (2021), 1228–1240  scopus 4
2. Д. А. Ложкина, Е. В. Астрова, Р. В. Соколов, Д. А. Кириленко, А. А. Левин, А. В. Парфеньева, В. П. Улин, “Формирование кремниевых нанокластеров при диспропорционировании моноокиси кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  373–387  mathnet  elib; D. A. Lozhkina, E. V. Astrova, R. V. Sokolov, D. A. Kirilenko, A. A. Levin, A. V. Parfeneva, V. P. Ulin, “Formation of silicon nanoclusters upon disproportionation of silicon monoxide”, Semiconductors, 55:4 (2021), 423–437 5
2020
3. Е. В. Астрова, В. П. Улин, А. В. Парфеньева, А. В. Нащекин, В. Н. Неведомский, М. В. Байдакова, “Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  753–765  mathnet  elib; E. V. Astrova, V. P. Ulin, A. V. Parfeneva, A. V. Nashchekin, V. N. Nevedomskiy, M. V. Baidakova, “Interaction of fluorocarbon with silicon monoxide and processes of SiC nanowire formation”, Semiconductors, 54:8 (2020), 900–911 4
4. В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, Л. Н. Дворецкая, А. В. Парфеньева, И. С. Мухин, Г. Э. Цырлин, “Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  32–35  mathnet  elib; V. O. Gridchin, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, L. N. Dvoretskaya, A. V. Parfeneva, I. S. Mukhin, G. E. Cirlin, “Selective-area growth of GaN nanowires on patterned SiO$_{x}$/Si substrates by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1080–1083 7
5. Е. В. Астрова, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, В. П. Улин, М. В. Байдакова, В. Н. Неведомский, А. В. Нащекин, “Влияние термообработки на свойства композитных кремний-углеродных анодов для литий-ионных аккумуляторов”, Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  14–18  mathnet  elib; E. V. Astrova, A. V. Parfeneva, A. M. Rumyantsev, V. P. Ulin, M. V. Baidakova, V. N. Nevedomskiy, A. V. Nashchekin, “The effect of thermal treatment on properties of composite silicon–carbon anodes for lithium-ion batteries”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 114–117 4
2019
6. Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, А. В. Нащекин, А. В. Парфеньева, Д. А. Ложкина, М. В. Томкович, Ю. А. Кукушкина, “Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  540–549  mathnet  elib; E. V. Astrova, V. B. Voronkov, A. V. Nashchekin, A. V. Parfeneva, D. A. Lozhkina, M. V. Tomkovich, Yu. A. Kukushkina, “Formation of porous silicon by nanopowder sintering”, Semiconductors, 53:4 (2019), 530–539 3
7. Е. В. Астрова, В. П. Улин, А. В. Парфеньева, В. Б. Воронков, “Карбонизация нанокристаллического кремния с помощью фторуглерода”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  29–32  mathnet  elib; E. V. Astrova, V. P. Ulin, A. V. Parfeneva, V. B. Voronkov, “Fluorocarbon carbonization of nanocrystalline silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 664–667 7

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024