|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
П. Н. Бутенко, Л. И. Гузилова, А. В. Чикиряка, А. И. Печников, В. И. Николаев, “Трибологические исследования слоев $\alpha$-$\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ в паре с сапфировым контртелом”, ЖТФ, 91:9 (2021), 1354–1362   ; P. N. Butenko, L. I. Guzilova, A. V. Chikiryaka, A. I. Pechnikov, V. I. Nikolaev, “Tribological studies of $\alpha$-$\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers paired with a sapphire counterface”, Tech. Phys., 66:11 (2021), 1186–1193  |
2
|
| 2. |
А. В. Алмаев, В. И. Николаев, С. И. Степанов, Н. Н. Яковлев, А. И. Печников, Е. В. Черников, Б. О. Кушнарев, “Влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость полиморфных Ga$_{2}$O$_{3}$-структур”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 269–276 ; A. V. Almaev, V. I. Nikolaev, S. I. Stepanov, N. N. Yakovlev, A. I. Pechnikov, E. V. Chernikov, B. O. Kushnarev, “Effect of ambient humidity on the electrical conductive properties of polymorphic Ga$_{2}$O$_{3}$ structures”, Semiconductors, 55:3 (2021), 346–353 |
4
|
| 3. |
Л. И. Гузилова, А. С. Гращенко, П. Н. Бутенко, А. В. Чикиряка, А. И. Печников, В. И. Николаев, “Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 3–7 ; L. I. Guzilova, A. S. Grashchenko, P. N. Butenko, A. V. Chikiryaka, A. I. Pechnikov, V. I. Nikolaev, “Mechanical properties of epilayers of metastable $\alpha$- and $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$ phases studied by nanoindentation”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 709–713 |
3
|
|
2020 |
| 4. |
Л. И. Гузилова, Б. К. Кардашев, А. И. Печников, В. И. Николаев, “Упругость и неупругость объемных кристаллов нитрида галлия”, ЖТФ, 90:1 (2020), 138–142 ; L. I. Guzilova, B. K. Kardashev, A. I. Pechnikov, V. I. Nikolaev, “Elasticity and inelasticity of bulk GaN crystals”, Tech. Phys., 65:1 (2020), 128–132 |
| 5. |
В. И. Николаев, А. И. Печников, Л. И. Гузилова, А. В. Чикиряка, М. П. Щеглов, В. В. Николаев, С. И. Степанов, А. А. Васильев, И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, “Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 27–29 ; V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, L. I. Guzilova, A. V. Chikiryaka, M. P. Scheglov, V. V. Nikolaev, S. I. Stepanov, A. A. Vasil'ev, I. V. Shchemerov, A. Ya. Polyakov, “Thick epitaxial $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn layers on a patterned sapphire substrate”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 228–230 |
6
|
|
2019 |
| 6. |
А. И. Печников, С. И. Степанов, А. В. Чикиряка, М. П. Щеглов, М. А. Одноблюдов, В. И. Николаев, “Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 789–792 ; A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, A. V. Chikiryaka, M. P. Scheglov, M. A. Odnoblyudov, V. I. Nikolaev, “Thick $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers on sapphire substrates grown by halide epitaxy”, Semiconductors, 53:6 (2019), 780–783 |
22
|
| 7. |
В. И. Николаев, А. В. Чикиряка, Л. И. Гузилова, А. И. Печников, “Микротвердость и трещиностойкость оксида галлия”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 51–54 ; V. I. Nikolaev, A. V. Chikiryaka, L. I. Guzilova, A. I. Pechnikov, “Microhardness and crack resistance of gallium oxide”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1114–1117 |
7
|
|
2016 |
| 8. |
С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, А. И. Печников, Н. А. Феоктистов, “Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1812–1817 ; S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, A. I. Pechnikov, N. A. Feoktistov, “Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1876–1881 |
22
|
| 9. |
В. И. Николаев, А. И. Печников, С. И. Степанов, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Головатенко, И. П. Никитина, А. Н. Смирнов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, Д. А. Кириленко, “Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 997–1000 ; V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, Sh. Sh. Sharofidinov, A. A. Golovatenko, I. P. Nikitina, A. N. Smirnov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, P. N. Brunkov, D. A. Kirilenko, “Chloride epitaxy of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers grown on $c$-sapphire substrates”, Semiconductors, 50:7 (2016), 980–983 |
5
|
|
Обратная связь: