Влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость полиморфных Ga$_{2}$O$_{3}$-структур

Исследовано влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость структур $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ и $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$. Полиморфные эпитаксиальные слои Ga$_{2}$O$_{3}$ осаждались методом хлоридной газофазной эпитаксии на сапфировые подложки. В качества контактов использовались Pt и Pt/Ti. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики структур Pt/$\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/Pt и Pt/Ti/$\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\varepsilon$ -Ga$_{2}$O$_{3}$/Ti/Pt имеют высокую чувствительность к влажности атмосферы в области температур 25–10$^\circ$C. Установлено, что влияние водяных паров на вольт-амперные характеристики является обратимым и наиболее существенные изменения тока в образцах наблюдаются при относительной влажности RH $\ge$ 60%. С повышением температуры эффект влияния влажности атмосферы на вольт-амперные характеристики уменьшается и при температурах $T>$ 100$^\circ$C пропадает. Полученные экспериментальные результаты объясняются в рамках механизма Гротгусса.