|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. И. Охапкин, С. А. Краев, Е. А. Архипова, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, “Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 837–840   ; A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, V. M. Daniltsev, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, “Effect of the chloropentafluoroethane additive in chlorine-containing plasma on the etching rate and etching-profile characteristics of gallium arsenide”, Semiconductors, 55:11 (2021), 865–868 |
| 2. |
А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, Н. М. Овечкин, О. А. Иванов, Д. Б. Радищев, А. М. Горбачев, М. А. Лобаев, А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, С. А. Краев, С. А. Королев, “Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 49–58 ; A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, N. M. Ovechkin, O. A. Ivanov, D. B. Radishev, A. M. Gorbachev, M. A. Lobaev, A. Ya. Vul', A. T. Dideikin, S. A. Kraev, S. A. Korolev, “Study of undoped nanocrystalline diamond films grown by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition”, Semiconductors, 55:1 (2021), 66–75 |
3
|
|
2020 |
| 3. |
Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, А. И. Охапкин, В. М. Данильцев, Е. В. Скороходов, “Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 958–961 ; Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, A. I. Okhapkin, V. M. Daniltsev, E. V. Skorokhodov, “Features of the vapor-phase epitaxy of GaAs on nonplanar substrates”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1147–1149 |
| 4. |
А. И. Охапкин, П. А. Юнин, Е. А. Архипова, С. А. Краев, С. А. Королев, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, “Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 865–867 ; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, S. A. Korolev, M. N. Drozdov, V. I. Shashkin, “Formation of ohmic contacts to a diamond-like carbon layer deposited on a dielectric diamond substrate”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1056–1058 |
2
|
| 5. |
П. А. Юнин, А. И. Охапкин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Е. А. Архипова, С. А. Краев, Ю. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, Д. Б. Радищев, “Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 855–858 ; P. A. Yunin, A. I. Okhapkin, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, Yu. N. Drozdov, V. I. Shashkin, D. B. Radishev, “Modification of the ratio between $sp^2/sp^3$-hybridized carbon components in PECVD diamond-like films”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1047–1050 |
| 6. |
М. Н. Дроздов, Е. А. Архипова, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, А. Е. Парафин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 34–38 ; M. N. Drozdov, E. A. Arkhipova, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, A. E. Parafin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “The use of pulsed laser annealing to form ohmic Mo/Ti contacts to diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 551–555 |
2
|
|
2019 |
| 7. |
М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, Е. А. Архипова, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1923–1932 ; M. N. Drozdov, E. V. Demidov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, E. A. Arkhipova, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Formation of low-resistivity Au/Mo/Ti ohmic contacts to $p$-diamond epitaxial layers”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1827–1836 |
5
|
| 8. |
Е. А. Архипова, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1386–1390 ; E. A. Arkhipova, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Ohmic contacts to CVD diamond with boron-doped $\delta$ layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1348–1352 |
1
|
| 9. |
Н. В. Востоков, В. М. Данильцев, С. А. Краев, В. Л. Крюков, Е. В. Скороходов, С. С. Стрельченко, В. И. Шашкин, “Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1311–1314 ; N. V. Vostokov, V. M. Daniltsev, S. A. Kraev, V. L. Kryukov, E. V. Skorokhodov, S. S. Strelchenko, V. I. Shashkin, “Vertical field-effect transistor with control $p$–$n$-junction based on GaAs”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1279–1281 |
| 10. |
А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, С. А. Краев, Е. А. Архипова, Е. В. Скороходов, П. А. Бушуйкин, В. И. Шашкин, “Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1229–1232 ; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. Korolev, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, E. V. Skorokhodov, P. A. Bushuikin, V. I. Shashkin, “Plasma-chemical deposition of diamond-like films onto the surface of heavily doped single-crystal diamond”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1203–1206 |
3
|
| 11. |
М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. И. Охапкин, С. А. Краев, М. А. Лобаев, “Новый подход к анализу фазового состава углеродсодержащих материалов методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 50–54 ; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, M. A. Lobaev, “A new approach to tof-sims analysis of the phase composition of carbon-containing materials”, Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 48–52 |
6
|
|
2018 |
| 12. |
А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. В. Скороходов, В. И. Шашкин, “Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1362–1365 ; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. V. Skorokhodov, V. I. Shashkin, “Plasma chemical etching of gallium arsenide in C$_{2}$F$_{5}$Cl-based inductively coupled plasma”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1473–1476 |
1
|
|
2017 |
| 13. |
А. И. Охапкин, С. А. Королев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, “Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1503–1506 ; A. I. Okhapkin, S. Korolev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, “Low-temperature deposition of SiN$_ x$ films in SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ inductively coupled plasma under high silane dilution with argon”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1449–1452 |
2
|
|
2016 |
| 14. |
В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, П. А. Юнин, “Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1459–1462 ; V. M. Daniltsev, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, P. A. Yunin, “Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1439–1442 |
3
|
|
Обратная связь: