|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “О природе красного сдвига $G$-пика раман-спектра в эпитаксиальном двумерном слое”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 550–553   ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “On the nature of red shift of the Raman $G$ peak in an epitaxial two-dimensional layer”, Phys. Solid State, 63:4 (2021), 530–533 |
| 2. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Упругие свойства графеноподобных соединений: модели Китинга и Харрисона”, Физика твердого тела, 63:2 (2021), 304–307 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Elastic properties of graphene-like compounds: the Keating's and Harisson's models”, Phys. Solid State, 63:2 (2021), 368–371 |
| 3. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Модель контакта двумерного металла и графеноподобного соединения с учетом их взаимодействия”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 578–583 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Model of a “Two-dimensional metal–graphene-like compound” junction: consideration for interaction between the components”, Semiconductors, 55:7 (2021), 595–600 |
| 4. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов II и VI групп на политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 326–330 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Adsorption of II and VI groups atoms on the silicon carbide polytypes”, Semiconductors, 55:4 (2021), 399–404 |
1
|
| 5. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Барьер Шоттки на контакте магнитного 3$d$-металла с полупроводником”, Письма в ЖТФ, 47:11 (2021), 37–39 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “The Schottky barrier on a contact of a magnetic 3$d$ metal with a semiconductor”, Tech. Phys. Lett., 47:7 (2021), 550–552 |
1
|
| 6. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Роль кулоновского взаимодействия в дефектной модели барьера Шоттки”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 28–30 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “The role of Coulomb interaction in the defect model of a Schottky barrier”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 234–236 |
|
2020 |
| 7. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов Ga и Cl и молекулы GaCl на карбиде кремния: модельный подход”, Физика твердого тела, 62:2 (2020), 298–301 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Adsorption of Ga and Cl atoms and GaCl molecule on silicon carbide: model approach”, Phys. Solid State, 62:2 (2020), 350–353 |
2
|
| 8. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов I и VII групп на политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1197–1202 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Adsorption of I and VII groups atoms on the silicon carbide polytypes”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1410–1416 |
4
|
| 9. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов бария на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 46:1 (2020), 16–19 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Adsorption of barium atoms on silicon carbide”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 12–15 |
2
|
|
2019 |
| 10. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Об адсорбции газов на карбиде кремния: простые оценки”, Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1538–1541 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “On the gases adsorption on silicon carbide: simple estimates”, Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1490–1493 |
3
|
|
2017 |
| 11. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Влияние адсорбции на работу выхода и проводимость углеродных наноструктур: противоречивость экспериментальных данных”, ЖТФ, 87:4 (2017), 635–638 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Influence of adsorption on the work function and conductivity of carbon nanostructures: Inconsistency of experimental data”, Tech. Phys., 62:4 (2017), 656–659 |
8
|
|
2016 |
| 12. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Оценки спонтанной поляризации бинарных и тройных соединений нитридов третьей группы”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 630–632 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Estimations of the spontaneous polarization of binary and ternary compounds of group III nitrides”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 647–649 |
3
|
|
Обратная связь: