|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика поверхности, тонкие пленки
Адсорбция атомов Ga и Cl и молекулы GaCl на карбиде кремния: модельный подход
С. Ю. Давыдовa, О. В. Посредникb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
В рамках модели Халдейна–Андерсона вычислены металлическая ионная составляющие энергии адсорбции атомов Ga и Cl на С- и Si-гранях $p$- и $n$-SiC. Показано, во-первых, что во всех рассмотренных случаях величина ионного вклада превосходит величину вклада металлического. Во-вторых, при адсорбции на $p$-SiC энергия связи адатомов Ga больше, чем адатомов Cl, тогда как при адсорбции на $n$-SiC имеет место обратная ситуация. Предложена простая ионная модель адсорбции молекулы GaCl на карбиде кремния. Сопоставление с результатами других авторов демонстрируют приемлемость предлагаемых моделей.
Ключевые слова:
зонные и локальные состояния, числа заполнения, энергия адсорбции.
Поступила в редакцию: 18.09.2019 Исправленный вариант: 18.09.2019 Принята в печать: 24.09.2019
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов Ga и Cl и молекулы GaCl на карбиде кремния: модельный подход”, Физика твердого тела, 62:2 (2020), 298–301; Phys. Solid State, 62:2 (2020), 350–353
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8500 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i2/p298
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 14 |
|