Адсорбция атомов Ga и Cl и молекулы GaCl на карбиде кремния: модельный подход

В рамках модели Халдейна–Андерсона вычислены металлическая ионная составляющие энергии адсорбции атомов Ga и Cl на С- и Si-гранях $p$- и $n$-SiC. Показано, во-первых, что во всех рассмотренных случаях величина ионного вклада превосходит величину вклада металлического. Во-вторых, при адсорбции на $p$-SiC энергия связи адатомов Ga больше, чем адатомов Cl, тогда как при адсорбции на $n$-SiC имеет место обратная ситуация. Предложена простая ионная модель адсорбции молекулы GaCl на карбиде кремния. Сопоставление с результатами других авторов демонстрируют приемлемость предлагаемых моделей.