Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страницы 1197–1202
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50086.9391
(Mi phts5120)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Адсорбция атомов I и VII групп на политипах карбида кремния

С. Ю. Давыдовa, О. В. Посредникb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация: В рамках модели Халдейна–Андерсона получены оценки перехода заряда и энергии адсорбции атомов щелочных металлов и галогенов на С- и Si-гранях политипов 3$C$-, 6$H$- и 4$H$-SiC. Выявлены вклады зонных и локальных состояний в формирование заряда адатома, металлической и ионной составляющих энергии адсорбции.
Ключевые слова: адатом, подложка, переход заряда, энергия адсорбции.
Поступила в редакцию: 20.03.2020
Исправленный вариант: 01.07.2020
Принята в печать: 13.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 11, Pages 1410–1416
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620110275
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов I и VII групп на политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1197–1202; Semiconductors, 54:11 (2020), 1410–1416
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DavPos20}
\by С.~Ю.~Давыдов, О.~В.~Посредник
\paper Адсорбция атомов I и VII групп на политипах карбида кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1197--1202
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5120}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50086.9391}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154070}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1410--1416
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620110275}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5120
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1197
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024