|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Адсорбция атомов I и VII групп на политипах карбида кремния
С. Ю. Давыдовa, О. В. Посредникb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
В рамках модели Халдейна–Андерсона получены оценки перехода заряда и энергии адсорбции атомов щелочных металлов и галогенов на С- и Si-гранях политипов 3$C$-, 6$H$- и 4$H$-SiC. Выявлены вклады зонных и локальных состояний в формирование заряда адатома, металлической и ионной составляющих энергии адсорбции.
Ключевые слова:
адатом, подложка, переход заряда, энергия адсорбции.
Поступила в редакцию: 20.03.2020 Исправленный вариант: 01.07.2020 Принята в печать: 13.07.2020
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов I и VII групп на политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1197–1202; Semiconductors, 54:11 (2020), 1410–1416
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5120 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1197
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 16 |
|