Аннотация:
В рамках двух физически различных подходов (твердотельном и квантово-химическом) рассмотрена адсорбция атомарного азота и молекул азота и аммиака на карбиде кремния. В твердотельной подходе с использованием модели Халдейна–Андерсона для плотности состояний 4H и 6H политипов SiC показано, что энергии связи атомов N и молекулы N2 с подложкой равны 6 и 3 eV соответственно. В квантово-химическом подходе в модели двухатомной поверхностной молекулы для энергии связи атомарного азота получены величины, равные 6 eV для адсорбции на C-грани и 4 eV для адсорбции на Si-грани. Установлено, что во всех рассмотренных случаях переходом заряда между адсорбатом и подложкой можно пренебречь. Высказано предположение, что, как и в случае адсорбции аммиака на Si(100), для карбида кремния имеет место диссоциация молекулы с последующей пассивацией оборванных sp3-орбиталей карбида кремния атомами водорода.
Ключевые слова:
модель Халдейна–Андерсона, модель поверхностной молекулы, переход заряда, энергия адсорбции.
Поступила в редакцию: 19.03.2019 Исправленный вариант: 19.03.2019 Принята в печать: 02.04.2019
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Об адсорбции газов на карбиде кремния: простые оценки”, Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1538–1541; Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1490–1493
\RBibitem{DavPos19}
\by С.~Ю.~Давыдов, О.~В.~Посредник
\paper Об адсорбции газов на карбиде кремния: простые оценки
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 8
\pages 1538--1541
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8740}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2019.08.47985.429}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41130203}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 8
\pages 1490--1493
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783419080109}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8740
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i8/p1538
Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов Ga и Cl и молекулы GaCl на карбиде кремния: модельный подход”, Физика твердого тела, 62:2 (2020), 298–301; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Adsorption of Ga and Cl atoms and GaCl molecule on silicon carbide: model approach”, Phys. Solid State, 62:2 (2020), 350–353
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов I и VII групп на политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1197–1202; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Adsorption of I and VII groups atoms on the silicon carbide polytypes”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1410–1416
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов бария на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 46:1 (2020), 16–19; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Adsorption of barium atoms on silicon carbide”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 12–15