|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Адсорбция атомов II и VI групп на политипах карбида кремния
С. Ю. Давыдовa, О. В. Посредникb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
В рамках модели Халдейна–Андерсона получены оценки перехода заряда и энергии адсорбции атомов щелочноземельных металлов и атомов подгруппы кислорода на С- и Si-гранях 3$C$- и 4$H$-политипов SiC. Выявлены вклады зонных и локальных состояний в переход заряда между адатомами и подложками, металлической и ионной составляющих энергии адсорбции.
Ключевые слова:
адатом, подложка, переход заряда, энергия адсорбции.
Поступила в редакцию: 30.10.2020 Исправленный вариант: 14.11.2020 Принята в печать: 14.12.2020
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов II и VI групп на политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 326–330; Semiconductors, 55:4 (2021), 399–404
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5052 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p326
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 16 |
|