|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Барьер Шоттки на контакте магнитного 3$d$-металла с полупроводником
С. Ю. Давыдовa, О. В. Посредникb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
Аннотация:
С помощью модели Фриделя для $d$-зоны переходного металла и модели локального дефекта для полупроводника получены аналитические выражения для перехода заряда (электронов или дырок) между металлом и полупроводником и высоты барьера Шоттки. Показано, что учет намагниченности металла ведет к увеличению перехода заряда и связанного с этим вклада в высоту барьера Шоттки. Численные оценки представлены для контактов Со и Ni с 6$H$- и 4$H$-политипами SiC.
Ключевые слова:
магнитный металл, полупроводник, локальный дефект, переход заряда, высота барьера Шоттки.
Поступила в редакцию: 09.12.2020 Исправленный вариант: 09.03.2021 Принята в печать: 10.03.2021
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Барьер Шоттки на контакте магнитного 3$d$-металла с полупроводником”, Письма в ЖТФ, 47:11 (2021), 37–39; Tech. Phys. Lett., 47:7 (2021), 550–552
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4775 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i11/p37
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 62 | PDF полного текста: | 15 |
|