|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Е. В. Иванова, П. А. Дементьев, М. В. Заморянская, Д. А. Закгейм, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, А. В. Кремлева, М. А. Одноблюдов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, В. Е. Бугров, “Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 421–426   ; E. V. Ivanova, P. A. Dementev, M. V. Zamoryanskaya, D. A. Zakgeim, D. Yu. Panov, V. A. Spiridonov, A. V. Kremleva, M. A. Odnoblyudov, D. A. Bauman, A. E. Romanov, V. E. Bugrov, “Study of charge carrier traps in bulk crystal gallium oxide $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Phys. Solid State, 63:4 (2021), 544–549 |
2
|
| 2. |
Д. А. Бауман, Л. А. Пьянкова, А. В. Кремлева, В. А. Спиридонов, Д. Ю. Панов, Д. А. Закгейм, А. С. Бахвалов, М. А. Одноблюдов, А. Е. Романов, В. Е. Бугров, “Элементное и структурное картирование объемных кристаллов (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, полученных методом Чохральского”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 19–22 ; D. A. Bauman, L. A. Pyankova, A. V. Kremleva, V. A. Spiridonov, D. Yu. Panov, D. A. Zakgeim, A. S. Bakhvalov, M. A. Odnoblyudov, A. E. Romanov, V. E. Bugrov, “Elemental and structural mapping of Czochralski-grown bulk (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, crystals”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 218–221 |
1
|
|
2020 |
| 3. |
Д. А. Закгейм, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, А. В. Кремлева, А. М. Смирнов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, М. А. Одноблюдов, В. Е. Бугров, “Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 43–45 ; D. A. Zakgeim, D. Yu. Panov, V. A. Spiridonov, A. V. Kremleva, A. M. Smirnov, D. A. Bauman, A. E. Romanov, M. A. Odnoblyudov, V. E. Bugrov, “Volume gallium oxide crystals grown from melt by the Czochralski method in an oxygen-containing atmosphere”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1144–1146 |
9
|
|
2019 |
| 4. |
В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, Е. Ю. Лундина, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 36–39 ; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, E. Yu. Lundina, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “Insulating GaN epilayers co-doped with iron and carbon”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 723–726 |
6
|
|
2018 |
| 5. |
В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, А. Е. Николаев, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. Ф. Цацульников, “Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 51–58 ; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, A. E. Nikolaev, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. F. Tsatsul'nikov, “The effect of the method by which a high-resistivity GaN buffer layer is formed on properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures with 2D electron gas”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 577–580 |
1
|
|
2016 |
| 6. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, Д. А. Закгейм, С. И. Павлов, “Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 1001–1006 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, A. S. Pavluchenko, M. V. Kukushkin, D. A. Zakgeim, S. I. Pavlov, “Technique for forming ITO films with a controlled refractive index”, Semiconductors, 50:7 (2016), 984–988 |
8
|
|
Обратная связь: