|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. П. Лесников, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, Р. Н. Крюков, “Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости”, Физика твердого тела, 63:7 (2021), 866–873   ; V. P. Lesnikov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, R. N. Kriukov, “Diode heterostructures with narrow-gap ferromagnetic A$^{3}$FeB$^{5}$ semiconductors of various conduction type”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1028–1035 |
2
|
| 2. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 38–41 |
|
2020 |
| 3. |
М. В. Дорохин, П. Б. Демина, Ю. А. Данилов, О. В. Вихрова, Ю. М. Кузнецов, М. В. Ведь, F. Iikawa, M. A. G. Balanta, “Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1139–1144 ; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, Yu. A. Danilov, O. V. Vikhrova, Yu. M. Kuznetsov, M. V. Ved, F. Iikawa, M. A. G. Balanta, “Time-resolved photoluminescence in heterostructures with InGaAs:Cr/GaAs quantum wells”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1341–1346 |
| 4. |
Ю. А. Данилов, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Н. В. Дикарева, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, П. А. Юнин, А. М. Андреев, “Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 868–872 ; Yu. A. Danilov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, N. V. Dikareva, M. N. Drozdov, B. N. Zvonkov, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, P. A. Yunin, A. M. Andreev, “Carbon films produced by the pulsed laser method and their influence on the properties of GaAs structures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1059–1063 |
2
|
| 5. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, В. Е. Милин, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb”, Письма в ЖТФ, 46:14 (2020), 17–20 ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, V. E. Milin, Yu. A. Danilov, “Circularly polarized electroluminescence of spin LEDs with a ferromagnetic (In,Fe)Sb injector”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 691–694 |
| 6. |
М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Е. И. Малышева, А. В. Кудрин, М. В. Ведь, А. В. Здоровейщев, “Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 40–43 ; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, E. I. Malysheva, A. V. Kudrin, M. V. Ved, A. V. Zdoroveyshchev, “Long-range magnetic interaction in InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$ heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 87–90 |
1
|
|
2019 |
| 7. |
Д. С. Прохоров, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, Д. О. Филатов, А. В. Здоровейщев, В. Ю. Чалков, А. В. Зайцев, М. В. Ведь, М. В. Дорохин, Н. А. Байдакова, “Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1293–1296 ; D. S. Prokhorov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, D. O. Filatov, A. V. Zdoroveyshchev, V. Yu. Chalkov, A. V. Zaitsev, M. V. Ved, M. V. Dorokhin, N. A. Baidakova, “Enhanced photoluminescence of heavily doped $n$-Ge/Si(001) layers”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1262–1265 |
| 8. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 33–36 ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, “Diode structures based on (In, Fe)Sb/GaAs magnetic heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 668–671 |
1
|
|
2018 |
| 9. |
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, А. Е. Парафин, М. В. Ведь, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, “Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2141–2146 |
1
|
|
2017 |
| 10. |
А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, П. Б. Дёмина, О. В. Вихрова, И. Л. Калентьева, М. В. Ведь, “Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2203–2205 ; A. V. Kudrin, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, P. B. Demina, O. V. Vikhrova, I. L. Kalentyeva, M. V. Ved, “Photoconductive detector of circularly polarized radiation based on a MIS structure with a CoPt layer”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2223–2225 |
6
|
| 11. |
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, М. В. Ведь, Ю. А. Данилов, “Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2142–2147 ; E. I. Malysheva, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Rykov, M. V. Ved, Yu. A. Danilov, “Control of circular polarization of electroluminescence in spin light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$ heterostructures”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2162–2167 |
1
|
| 12. |
М. В. Дорохин, М. В. Ведь, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, А. В. Рыков, Ю. М. Кузнецов, “Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2135–2141 ; M. V. Dorokhin, M. V. Ved, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, A. V. Rykov, Yu. M. Kuznetsov, “Methods for spin injection managing in InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt spin light-emitting diodes”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2155–2161 |
5
|
|
2016 |
| 13. |
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, М. В. Ведь, “Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2190–2194 ; E. I. Malysheva, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, M. V. Ved, “Tunneling and injection in ferromagnetic structures InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As and InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2271–2276 |
4
|
|
Обратная связь: