|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
И. С. Шашкин, А. Д. Рыбкин, В. А. Крючков, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, Н. А. Рудова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)”, Квантовая электроника, 52:9 (2022), 794–798  [I. S. Shashkin, A. D. Rybkin, V. A. Kryuchkov, A. E. Kazakova, D. N. Romanovich, N. A. Rudova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Investigation of the quasi-cw heating dynamics of an active region of high-power semiconductor lasers (λ = 1060 nm) with an ultra-wide emitting aperture (800 μm)”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 1 (2023), S18–S24] |
2
|
| 2. |
С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 340–342 [S. O. Slipchenko, D. N. Romanovich, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “High-power quasi-cw semiconductor lasers (1060 nm) with an ultra-wide emitting aperture”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 340–342  ] |
3
|
| 3. |
С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 174–178 [S. O. Slipchenko, D. N. Romanovich, P. S. Gavrina, D. A. Veselov, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “High-power mesa-stripe semiconductor lasers (910 nm) with an ultra-wide emitting aperture based on tunnel-coupled InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 174–178  ] |
3
|
|
2021 |
| 4. |
А. А. Подоскин, П. С. Гаврина, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 466–472  |
| 5. |
А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 460–465 ; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Analysis of the threshold conditions and lasing efficiency of internally circulating modes in large rectangular cavities based on AlGaAs/GaAs/InGaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 55:5 (2021), 518–523 |
| 6. |
И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 42–45 ; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, V. V. Shamakhov, D. N. Romanovich, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Output optical power dynamics of semiconductor lasers (1070 nm) with a few-mode lateral waveguide of mesa-stripe design at ultrahigh drive currents”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 368–371 |
1
|
| 7. |
Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков, “Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 912–914 [T. A. Bagaev, N. V. Gul'tikov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, V. V. Krichevskii, A. M. Morozyuk, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. E. Kazakova, D. N. Romanovich, V. A. Kryuchkov, “High-power pulsed hybrid semiconductor lasers emitting in the wavelength range 900–920 nm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 912–914 ] |
3
|
|
2020 |
| 8. |
А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 484–489 ; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Switching control model of closed-mode structures in large rectangular cavities based on AlGaAs/InGaAs/GaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 54:5 (2020), 581–586 |
1
|
| 9. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, “Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 452–457 ; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, O. S. Soboleva, V. S. Yuferev, V. S. Golovin, P. S. Gavrina, D. N. Romanovich, I. V. Miroshnikov, N. A. Pikhtin, “Carrier-transport processes in $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs isotype heterostructures with a thin wide-gap AlGaAs barrier”, Semiconductors, 54:5 (2020), 529–533 |
2
|
|
2019 |
| 10. |
А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 839–843 ; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Сlosed mode features in rectangular resonators based on InGaAs/AlGaAs/GaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 53:6 (2019), 828–832 |
4
|
| 11. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, “Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 816–823 ; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, O. S. Soboleva, V. S. Yuferev, V. S. Golovin, P. S. Gavrina, D. N. Romanovich, I. V. Miroshnikov, N. A. Pikhtin, “Specific features of carrier transport in $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ structures with a GaAs/AlGaAs heterojunction at ultrahigh current densities”, Semiconductors, 53:6 (2019), 806–813 |
5
|
| 12. |
П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 7–11 ; P. S. Gavrina, O. S. Soboleva, A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, V. S. Golovin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “Experimental studies of the on-state propagation dynamics of low-voltage laser-thyristors based on AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 374–378 |
2
|
|
Обратная связь: