|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Л. Н. Лукьянова, О. А. Усов, М. П. Волков, И. В. Макаренко, В. А. Русаков, “Дефекты межслоевой поверхности и термоэлектрические свойства в слоистых пленках топологических изоляторов $n$-Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.15}$S$_{0.15}$”, Физика твердого тела, 63:10 (2021), 1476–1482   ; L. N. Luk'yanova, O. A. Usov, M. P. Volkov, I. V. Makarenko, V. A. Rusakov, “Defects of the interlayer surface and thermoelectric properties in layered films of $n$-Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.15}$S$_{0.15}$ topological insulators”, Phys. Solid State, 63:11 (2021), 1716–1722 |
| 2. |
Л. Н. Лукьянова, И. В. Макаренко, О. А. Усов, “Дифференциальная туннельная проводимость в многокомпонентных твердых растворах Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y-z}$Se$_{y}$S$_{z}$”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1128–1131 |
| 3. |
Л. Н. Лукьянова, А. А. Шабалдин, А. Ю. Самунин, О. А. Усов, “Эффективная масса, подвижность носителей заряда и решеточная теплопроводность в нанокомпозитных термоэлектриках на основе халькогенидов висмута и сурьмы”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1124–1127 ; L. N. Luk'yanova, A. A. Shabaldin, A. Yu. Samunin, O. A. Usov, “Effective mass, mobility of charge carriers, and lattice thermal conductivity in nanocomposite thermoelectrics based on bismuth and antimony chalcogenides”, Semiconductors, 56:1 (2022), 10–13 |
2
|
| 4. |
О. А. Усов, Л. Н. Лукьянова, М. П. Волков, “Гальваномагнитные свойства в анизотропных слоистых пленках на основе халькогенидов висмута”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1119–1123 |
|
2019 |
| 5. |
И. В. Коробейников, Н. В. Морозова, Л. Н. Лукьянова, О. А. Усов, С. В. Овсянников, “Фактор мощности твердых растворов на основе теллурида висмута в области топологических фазовых переходов при высоких давлениях”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 741–745 ; I. Korobeynikov, N. V. Morozova, L. N. Luk'yanova, O. A. Usov, S. V. Ovsyannikov, “On the power factor of bismuth-telluride-based alloys near topological phase transitions at high pressures”, Semiconductors, 53:6 (2019), 732–736 |
7
|
| 6. |
Л. Н. Лукьянова, И. В. Макаренко, О. А. Усов, П. А. Дементьев, “Топологические поверхностные состояния фермионов Дирака в термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 654–658 ; L. N. Luk'yanova, I. V. Makarenko, O. A. Usov, P. A. Dementev, “Topological surface states of Dirac fermions in $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$ thermoelectrics”, Semiconductors, 53:5 (2019), 647–651 |
2
|
| 7. |
Л. Н. Лукьянова, О. А. Усов, М. П. Волков, “Термоэлектрические и гальваномагнитные свойства слоистых пленок $n$-Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 626–630 ; L. N. Luk'yanova, O. A. Usov, M. P. Volkov, “Thermoelectric and galvanomagnetic properties of layered $n$-Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$ films”, Semiconductors, 53:5 (2019), 620–623 |
3
|
|
2017 |
| 8. |
Л. Н. Лукьянова, Ю. А. Бойков, О. А. Усов, В. А. Данилов, М. П. Волков, “Транспортные свойства гетероэпитаксиальных пленок на основе теллурида висмута в сильных магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 880–883 ; L. N. Luk'yanova, Yu. A. Boikov, O. A. Usov, V. A. Danilov, M. P. Volkov, “Transport properties of heteroepitaxial films based on bismuth telluride in strong magnetic fields”, Semiconductors, 51:7 (2017), 843–846 |
3
|
| 9. |
Л. Н. Лукьянова, А. Ю. Бибик, В. А. Асеев, О. А. Усов, И. В. Макаренко, В. Н. Петров, Н. В. Никоноров, “Морфология межслоевой поверхности и микро-рамановские спектры в слоистых пленках топологических изоляторов на основе теллурида висмута”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 763–765 ; L. N. Luk'yanova, A. Yu. Bibik, V. A. Aseev, O. A. Usov, I. V. Makarenko, V. N. Petrov, N. V. Nikonorov, “On the morphology of the interlayer surface and micro-Raman spectra of layered films in topological insulators based on bismuth telluride”, Semiconductors, 51:6 (2017), 729–731 |
2
|
| 10. |
Л. Н. Лукьянова, Ю. А. Бойков, О. А. Усов, В. А. Данилов, “Эффективная масса плотности состояний и подвижность носителей заряда в гетероэпитаксиальных пленках теллурида висмута и твердых растворах Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 726–728 ; L. N. Luk'yanova, Yu. A. Boikov, O. A. Usov, V. A. Danilov, “On the density-of-states effective mass and charge-carrier mobility in heteroepitaxial films of bismuth telluride and Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ solid solution”, Semiconductors, 51:6 (2017), 692–694 |
2
|
|
2016 |
| 11. |
Л. Н. Лукьянова, А. Ю. Бибик, В. А. Асеев, О. А. Усов, И. В. Макаренко, В. Н. Петров, Н. В. Никоноров, В. А. Кутасов, “Морфология поверхности и рамановская спектроскопия тонких слоев халькогенидов висмута и сурьмы”, Физика твердого тела, 58:7 (2016), 1390–1397 ; L. N. Luk'yanova, A. Yu. Bibik, V. A. Aseev, O. A. Usov, I. V. Makarenko, V. N. Petrov, N. V. Nikonorov, V. A. Kutacov, “Surface morphology and Raman spectroscopy of thin layers of antimony and bismuth chalcogenides”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1440–1447 |
3
|
|
1989 |
| 12. |
В. Н. Семкин, Р. М. Власова, Н. Ф. Картенко, С. Я. Приев, О. А. Усов, В. М. Ярцев, Л. С. Агроскин, В. К. Петров, Г. Г. Абашев, В. С. Русских, “Электронно-колебательные и электрон-электронные взаимодействия в квазиодномерном органическом полупроводнике МТ$_{2}$(ТСNQ)${}_{3}\cdot$2H$_{2}$O”, Физика твердого тела, 31:8 (1989), 89–100  |
|
Обратная связь: