Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 726–728
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44543.02
(Mi phts6121)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Эффективная масса плотности состояний и подвижность носителей заряда в гетероэпитаксиальных пленках теллурида висмута и твердых растворах Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$

Л. Н. Лукьянова, Ю. А. Бойков, О. А. Усов, В. А. Данилов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Показано, что коэффициент термоэдс $\alpha$, параметр мощности $\alpha^{2}\sigma$ и эффективная масса плотности состояний m/m$_{0}$ в гетероэпитаксиальных пленках твердых растворов Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ возрастают по сравнению с объемными термоэлектриками. Рост и слабые температурные зависимости этих величин приводят к увеличению параметра материала, пропорционального эффективной массе, подвижности и термоэлектрической эффективности. Характер изменения $\alpha$, $\alpha^{2}\sigma$ и $m/m_{0}$ определяется особенностями механизма рассеяния носителей заряда, анизотропией поверхности постоянной энергии и возможным влиянием топологических поверхностных состояний дираковских фермионов в пленках.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 692–694
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060203
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Лукьянова, Ю. А. Бойков, О. А. Усов, В. А. Данилов, “Эффективная масса плотности состояний и подвижность носителей заряда в гетероэпитаксиальных пленках теллурида висмута и твердых растворах Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 726–728; Semiconductors, 51:6 (2017), 692–694
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LukBoiUso17}
\by Л.~Н.~Лукьянова, Ю.~А.~Бойков, О.~А.~Усов, В.~А.~Данилов
\paper Эффективная масса плотности состояний и подвижность носителей заряда в гетероэпитаксиальных пленках теллурида висмута и твердых растворах Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 726--728
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6121}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44543.02}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404932}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 692--694
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060203}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6121
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p726
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:24
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024