Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 880–883
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44632.18 (Mi phts6089) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Транспортные свойства гетероэпитаксиальных пленок на основе теллурида висмута в сильных магнитных полях

Л. Н. Лукьянова, Ю. А. Бойков, О. А. Усов, В. А. Данилов, М. П. Волков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (118 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44632.18
Аннотация: Проведены исследования температурных и магнитополевых зависимостей гальваномагнитных свойств гетероэпитаксиальных пленок $n$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ в магнитных полях до 14 Тл при низких температурах. Показано, что ступени на магнитополевых зависимостях квантового эффекта Холла и плато на температурных зависимостях магнетосопротивления в пленках обусловлены топологическими поверхностными состояниями фермионов Дирака.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 843–846
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070259
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Лукьянова, Ю. А. Бойков, О. А. Усов, В. А. Данилов, М. П. Волков, “Транспортные свойства гетероэпитаксиальных пленок на основе теллурида висмута в сильных магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 880–883; Semiconductors, 51:7 (2017), 843–846
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LukBoiUso17}
\by Л.~Н.~Лукьянова, Ю.~А.~Бойков, О.~А.~Усов, В.~А.~Данилов, М.~П.~Волков
\paper Транспортные свойства гетероэпитаксиальных пленок на основе теллурида висмута в сильных магнитных полях
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 880--883
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6089}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44632.18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772347}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 843--846
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070259}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6089
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p880
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024