Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1124–1127
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51693.09
(Mi phts4904)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Эффективная масса, подвижность носителей заряда и решеточная теплопроводность в нанокомпозитных термоэлектриках на основе халькогенидов висмута и сурьмы

Л. Н. Лукьянова, А. А. Шабалдин, А. Ю. Самунин, О. А. Усов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: В термоэлектриках $p$-типа на основе халькогенидов висмута и сурьмы с избытком висмута эффективная масса плотности состояний $m/m_{0}$ возрастает в нанокомпозитном и наноструктурированном твердых растворах по сравнению с базовым материалом, полученным методом направленной кристаллизации. Показано, что увеличение $m/m_{0}$ связано с ростом эффективного параметра рассеяния $r_{\operatorname{eff}}$ и усилением зависимости времени релаксации от энергии, что характерно для топологических изоляторов. Параметр материала $\beta$, пропорциональный термоэлектрической эффективности ZT, при температурах ниже комнатной возрастает сильнее в наноструктурированном составе, чем в нанокомпозите с нановключениями SiO$_{2}$ вследствие роста $m/m_0$ и уменьшения решеточной теплопроводности $\kappa_{\mathrm{L}}$. При дальнейшем повышении температуры наибольший рост параметра $\beta$ в базовом материале связан с более высокой подвижностью.
Ключевые слова: халькогениды висмута и сурьмы, наноструктурированные твердые растворы, нанокомпозит, эффективная масса.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-08-00464
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 20-08-00464).
Поступила в редакцию: 12.08.2021
Исправленный вариант: 28.08.2021
Принята в печать: 28.08.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2022, Volume 56, Issue 1, Pages 10–13
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782622010109
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Лукьянова, А. А. Шабалдин, А. Ю. Самунин, О. А. Усов, “Эффективная масса, подвижность носителей заряда и решеточная теплопроводность в нанокомпозитных термоэлектриках на основе халькогенидов висмута и сурьмы”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1124–1127; Semiconductors, 56:1 (2022), 10–13
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LukShaSam21}
\by Л.~Н.~Лукьянова, А.~А.~Шабалдин, А.~Ю.~Самунин, О.~А.~Усов
\paper Эффективная масса, подвижность носителей заряда и решеточная теплопроводность в нанокомпозитных термоэлектриках на основе халькогенидов висмута и сурьмы
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 1124--1127
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4904}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51693.09}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46667378}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2022
\vol 56
\issue 1
\pages 10--13
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782622010109}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4904
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i12/p1124
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:109
    PDF полного текста:53
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024