|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.
Топологические поверхностные состояния фермионов Дирака в термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$
Л. Н. Лукьянова, И. В. Макаренко, О. А. Усов, П. А. Дементьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
В термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ и $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$ исследованы поверхностные состояния фермионов Дирака межслоевой ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии. Морфология поверхности и характер модуляции на линейных профилях изображений, полученных методом туннельной микроскопии, определяется локальными искажениями плотности поверхностных электронных состояний и зависит от состава. Точка Дирака $E_\mathrm{{D}}$ в исследованных составах локализована в запрещенной зоне и смещается к потолку валентной зоны с увеличением содержания Se в твердых растворах $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$. Установлена зависимость между параметрами поверхностных состояний фермионов Дирака (положением точки Дирака, скоростью Ферми, поверхностной концентрацией фермионов) и термоэлектрическими свойствами (коэффициентом Зеебека и параметром мощности) в исследованных термоэлектриках.
Поступила в редакцию: 20.12.2018 Исправленный вариант: 24.12.2018 Принята в печать: 28.12.2018
Образец цитирования:
Л. Н. Лукьянова, И. В. Макаренко, О. А. Усов, П. А. Дементьев, “Топологические поверхностные состояния фермионов Дирака в термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 654–658; Semiconductors, 53:5 (2019), 647–651
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5513 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p654
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 23 |
|