Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 654–658
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47557.15
(Mi phts5513)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Топологические поверхностные состояния фермионов Дирака в термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$

Л. Н. Лукьянова, И. В. Макаренко, О. А. Усов, П. А. Дементьев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: В термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ и $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$ исследованы поверхностные состояния фермионов Дирака межслоевой ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии. Морфология поверхности и характер модуляции на линейных профилях изображений, полученных методом туннельной микроскопии, определяется локальными искажениями плотности поверхностных электронных состояний и зависит от состава. Точка Дирака $E_\mathrm{{D}}$ в исследованных составах локализована в запрещенной зоне и смещается к потолку валентной зоны с увеличением содержания Se в твердых растворах $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$. Установлена зависимость между параметрами поверхностных состояний фермионов Дирака (положением точки Дирака, скоростью Ферми, поверхностной концентрацией фермионов) и термоэлектрическими свойствами (коэффициентом Зеебека и параметром мощности) в исследованных термоэлектриках.
Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 5, Pages 647–651
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619050142
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Лукьянова, И. В. Макаренко, О. А. Усов, П. А. Дементьев, “Топологические поверхностные состояния фермионов Дирака в термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 654–658; Semiconductors, 53:5 (2019), 647–651
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LukMakUso19}
\by Л.~Н.~Лукьянова, И.~В.~Макаренко, О.~А.~Усов, П.~А.~Дементьев
\paper Топологические поверхностные состояния фермионов Дирака в термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 654--658
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5513}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47557.15}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644651}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 647--651
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619050142}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5513
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p654
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024