|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Л. А. Делимова, Н. В. Зайцева, В. В. Ратников, В. С. Юферев, Д. С. Серегин, К. А. Воротилов, А. С. Сигов, “Сравнение характеристик тонких пленок PZT на подложках из сапфира и кремния”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1076–1083   ; L. A. Delimova, N. V. Zaitseva, V. V. Ratnikov, V. S. Yuferev, D. S. Seregin, K. A. Vorotilov, A. S. Sigov, “Comparison of characteristics of thin PZT films on Si-on-sapphire and Si substrates”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1145–1152 |
4
|
| 2. |
Л. М. Сорокин, Р. Н. Кютт, В. В. Ратников, А. Е. Калмыков, “Структурная характеризация короткопериодной сверхрешетки на основе гетероструктуры CdF$_{2}$/CaF$_{2}$/Si(111) методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 3–6 ; L. M. Sorokin, R. N. Kyutt, V. V. Ratnikov, A. E. Kalmykov, “Structural characterization of a short-period superlattice based on the CdF$_{2}$/CaF$_{2}$/Si(111) heterostructure by transmission electron microscopy and X-ray diffractometry”, Tech. Phys. Lett., 47:12 (2021), 893–896 |
|
2020 |
| 3. |
А. В. Мясоедов, Д. В. Нечаев, В. В. Ратников, А. Е. Калмыков, Л. М. Сорокин, В. Н. Жмерик, “Повышение эффективности фильтрации прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ с фасетированной морфологией поверхности во время их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 26–30 ; A. V. Myasoedov, D. V. Nechaev, V. V. Ratnikov, A. E. Kalmykov, L. M. Sorokin, V. N. Zhmerik, “An increase of threading dislocations filtering efficiency in AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ templates with faceted surface morphology during a growth by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 543–547 |
1
|
| 4. |
В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, А. В. Мясоедов, О. А. Кошелев, В. Н. Жмерик, “Снижение плотности прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-сапфир, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:8 (2020), 36–39 ; V. V. Ratnikov, D. V. Nechaev, A. V. Myasoedov, O. A. Koshelev, V. N. Zhmerik, “Decreasing density of grown-in dislocations in AlN/$c$-sapphire templates grown by plasma-activated molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 389–392 |
|
2018 |
| 5. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, К. С. Журавлев, “Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 643–650 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 |
8
|
| 6. |
В. В. Ратников, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, И. В. Осинных, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 233–237 ; V. V. Ratnikov, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, I. V. Osinnykh, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Change in the character of biaxial stresses with an increase in $x$ from 0 to 0.7 in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si layers obtained by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 52:2 (2018), 221–225 |
1
|
|
2016 |
| 7. |
В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 61–69 ; V. V. Ratnikov, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “X-ray diffractometry of AlN/$c$-sapphire templates obtained by plasma-activated molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 419–422 |
2
|
|
1986 |
| 8. |
В. В. Ратников, Л. М. Сорокин, Г. Н. Мосина, “Диффузное рассеяние рентгеновских лучей на дефектах в монокристаллах германий-литий”, Физика твердого тела, 28:12 (1986), 3734–3736  |
|
1985 |
| 9. |
Р. Н. Кютт, В. В. Ратников, “Измерение углового распределения диффузного рассеяния рентгеновских
лучей на трехкристальном спектрометре в случае Лауэ-дифракции”, ЖТФ, 55:2 (1985), 391–393 |
|
1984 |
| 10. |
В. В. Ратников, Л. М. Сорокин, “Экспериментальное наблюдение динамических эффектов при диффузном рассеянии рентгеновских лучей”, Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3445–3447 |
| 11. |
В. В. Ратников, Э. К. Ковьев, Л. М. Сорокин, “Распределение диффузного рассеяния вблизи брэгговских отражений и его особенности при дифракции рентгеновских лучей монокристаллами Ge с примесью As”, Физика твердого тела, 26:7 (1984), 2155–2158 |
|
Обратная связь: