|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Ю. М. Кузнецов, М. В. Дорохин, А. В. Нежданов, Д. А. Здоровейщев, В. П. Лесников, А. И. Машин, “Способ формирования пленок фазы $\beta$-FeSi$_{2}$ методом импульсного лазерного осаждения в вакууме”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 773–778   ; Yu. M. Kuznetsov, M. V. Dorokhin, A. V. Nezhdanov, D. A. Zdoroveishchev, V. P. Lesnikov, A. I. Mashin, “Method for forming films of the $\beta$-FeSi$_2$ phase by pulsed laser deposition in vacuum”, Semiconductors, 55:9 (2021), 749–754 |
|
2020 |
| 2. |
О. М. Сресели, Н. А. Берт, В. Н. Неведомский, А. И. Лихачев, И. Н. Яссиевич, А. В. Ершов, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Б. А. Андреев, А. Н. Яблонский, “Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 129–137 ; O. M. Sreseli, N. A. Bert, V. N. Nevedomskiy, A. I. Lihachev, I. N. Yassievich, A. V. Ershov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, B. A. Andreev, A. N. Yablonskii, “Ge/Si core/shell quantum dots in an alumina matrix: influence of the annealing temperature on the optical properties”, Semiconductors, 54:2 (2020), 181–189 |
4
|
|
2019 |
| 3. |
Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Н. С. Гусев, А. И. Машин, Е. Е. Морозова, А. В. Нежданов, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, Д. В. Шенгуров, А. Н. Яблонский, “Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1360–1365 ; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, A. I. Mashin, E. E. Morozova, A. V. Nezhdanov, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, “Locally strained Ge/SOI structures with improved heat sink as an active media for silicon optoelectronics”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1324–1328 |
1
|
|
2018 |
| 4. |
А. В. Ромашкин, А. А. Мурзанев, А. М. Киселев, А. И. Корытин, М. А. Кудряшов, А. В. Нежданов, Л. А. Мочалов, А. И. Машин, А. Н. Степанов, “Структурная модификация фемтосекундным лазерным излучением пленок халькогенидного стекла As$_{50}$S$_{50}$, полученных методом плазмохимического осаждения из газовой фазы”, Оптика и спектроскопия, 124:5 (2018), 706–712 ; A. V. Romashkin, A. A. Murzanev, A. M. Kiselev, A. I. Korytin, M. A. Kudryashov, A. V. Nezhdanov, L. A. Mochalov, A. I. Mashin, A. N. Stepanov, “Structural modification of pecvd As$_{50}$S$_{50}$ chalcogenide-glass films by femtosecond laser radiation”, Optics and Spectroscopy, 124:5 (2018), 741–747 |
2
|
| 5. |
А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Е. В. Скороходов, В. А. Вербус, А. Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, Н. С. Гусев, К. Е. Кудрявцев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, “Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1331–1336 ; A. V. Novikov, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, E. V. Skorokhodov, V. A. Verbus, A. N. Yablonskii, N. A. Baidakova, N. S. Gusev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, “Formation and properties of locally tensile strained Ge microstructures for silicon photonics”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1442–1447 |
3
|
|
2017 |
| 6. |
Д. А. Грачев, А. В. Ершов, И. А. Карабанова, А. В. Пирогов, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Д. А. Павлов, “Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO$_{x}$ и многослойных структурах Ge/SiO$_{2}$”, Физика твердого тела, 59:5 (2017), 965–971 ; D. A. Grachev, A. V. Ershov, I. A. Karabanova, A. V. Pirogov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. A. Pavlov, “Influence of the deposition and annealing temperatures on the luminescence of germanium nanocrystals formed in GeO$_{x}$ films and multilayer Ge/SiO$_{2}$ structures”, Phys. Solid State, 59:5 (2017), 992–998 |
| 7. |
С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, А. В. Ершов, А. И. Машин, Е. В. Паринова, Д. Н. Нестеров, Д. А. Грачев, И. А. Карабанова, Э. П. Домашевская, “Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 363–366 ; S. Yu. Turishchev, V. A. Terekhov, D. A. Koyuda, A. V. Ershov, A. I. Mashin, E. V. Parinova, D. N. Nesterov, D. A. Grachev, I. A. Karabanova, È. P. Domashevskaya, “Formation of silicon nanocrystals in multilayer nanoperiodic $a$-SiO$_{x}$/insulator structures from the results of synchrotron investigations”, Semiconductors, 51:3 (2017), 349–352 |
5
|
|
2016 |
| 8. |
М. А. Кудряшов, А. И. Машин, А. В. Нежданов, А. А. Логунов, Т. А. Грачева, Т. А. Кузьмичева, G. Chidichimo, G. De Filpo, “Структура и оптические свойства нанокомпозитов серебро/полиакрилонитрил”, ЖТФ, 86:11 (2016), 80–85 ; M. A. Kudryashov, A. I. Mashin, A. V. Nezhdanov, A. A. Logunov, T. A. Gracheva, T. A. Kuz'micheva, G. Chidichimo, G. De Filpo, “Structure and optical properties of the silver/polyacrylonitrile nanocomposites”, Tech. Phys., 61:11 (2016), 1684–1688 |
4
|
| 9. |
В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, С. А. Матвеев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Д. О. Филатов, М. В. Степихова, З. Ф. Красильник, “Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1270–1275 ; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, S. A. Matveev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. O. Filatov, M. V. Stepikhova, Z. F. Krasil'nik, “Conditions of growth of high-quality relaxed Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1248–1253 |
1
|
| 10. |
А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 350–353 ; A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 |
4
|
|
1986 |
| 11. |
А. Ф. Хохлов, А. И. Машин, А. В. Ершов, Ю. А. Мордвинова, Н. И. Машин, “Электрические и оптические свойства полупроводника
$a$-Si$_{1-x}$Ge$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1288–1291 |
|
Обратная связь: