|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований
С. Ю. Турищевa, В. А. Тереховa, Д. А. Коюдаa, А. В. Ершовb, А. И. Машинb, Е. В. Париноваa, Д. Н. Нестеровa, Д. А. Грачевb, И. А. Карабановаb, Э. П. Домашевскаяa a Воронежский государственный университет
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Изучен вопрос эффективности контролируемого формирования массивов кремниевых наночастиц на основе детальных исследований электронного строения многослойных нанопериодических структур $a$-SiO$_{x}$/SiO$_{2}$, $a$-SiO$_{x}$/Al$_{2}$O$_{3}$ и $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$. С применением синхротронного метода спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения обнаружена модификация исследованных структур под влиянием высокотемпературного отжига при максимальной температуре 1100$^\circ$C, объясняемая образованием нанокристаллов кремния в слоях светоизлучающих многослойных структур.
Поступила в редакцию: 26.07.2016 Принята в печать: 15.08.2016
Образец цитирования:
С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, А. В. Ершов, А. И. Машин, Е. В. Паринова, Д. Н. Нестеров, Д. А. Грачев, И. А. Карабанова, Э. П. Домашевская, “Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 363–366; Semiconductors, 51:3 (2017), 349–352
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6210 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p363
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 21 | PDF полного текста: | 5 |
|