|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. Г. Тандоев, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, “Вольт-амперная характеристика мощных диодных структур с резкой асимметрией инжектирующей способности эмиттеров”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 524–532   ; A. G. Tandoev, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, “Current–voltage characteristics of power diode structures with strong asymmetry of emitters injection ability”, Semiconductors, 55 (2021), s22–s29 |
| 2. |
А. Г. Тандоев, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, “Мощные диоды Шоттки с участком отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристике”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 75–82 ; A. G. Tandoev, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, “High-power Schottky diodes with a negative-differential-resistance portion in the I–V characteristic”, Semiconductors, 55:1 (2021), 92–99 |
1
|
|
2020 |
| 3. |
А. Г. Тандоев, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, “$S$-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 470–477 ; A. G. Tandoev, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, “S-shaped I – V characteristics of high-power Schottky diodes at high current densities”, Semiconductors, 54:5 (2020), 567–574 |
2
|
| 4. |
С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, “Неодномерный эффект $dU/dt$ в мощных тиристорах”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 69–73 ; S. N. Yurkov, T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, “Multidimensional $dU/dt$ effect in high-power thyristors”, Semiconductors, 54:1 (2020), 112–116 |
|
2018 |
| 5. |
С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, “Теоретический анализ эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC”, ЖТФ, 88:10 (2018), 1544–1550 ; S. N. Yurkov, T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, “Theoretical analysis of the effect of $dU/dt$ in 4H–SiC thyristor structures”, Tech. Phys., 63:10 (2018), 1497–1503 |
1
|
|
2017 |
| 6. |
Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, М. Е. Левинштейн, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1125–1130 ; T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, M. E. Levinshteǐn, S. N. Yurkov, J. W. Palmour, “Current–voltage characteristics of Schottky diodes at high current densities under the injection of minority carriers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1081–1086 |
1
|
| 7. |
Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, В. Б. Шуман, Б. М. Середин, “О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 830–834 ; T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, V. B. Shuman, B. M. Seredin, “On the limit of the injection ability of silicon $p^{+}$–$n$ junctions as a result of fundamental physical effects”, Semiconductors, 51:6 (2017), 798–802 |
2
|
| 8. |
С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, А. Г. Тандоев, J. W. Palmour, “Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 234–239 ; S. N. Yurkov, T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, A. G. Tandoev, J. W. Palmour, “Analysis of the impact of non-1D effects on the gate switch-on current in 4$H$-SiC thyristors”, Semiconductors, 51:2 (2017), 225–231 |
|
2016 |
| 9. |
М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, А. Г. Тандоев, Sei-Hyung Ryu, J. W. Palmour, “Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 408–414 ; M. E. Levinshteǐn, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, A. G. Tandoev, Sei-Hyung Ryu, J. W. Palmour, “High-voltage silicon-carbide thyristor with an $n$-type blocking base”, Semiconductors, 50:3 (2016), 404–410 |
5
|
|
1990 |
| 10. |
Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов, “Оценка роли электронно-дырочного рассеяния в переносе носителей
заряда в многослойных арсенид-галлиевых структурах”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1668–1670 |
|
1989 |
| 11. |
Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов, “О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках
$n$- и $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1658–1663 |
|
1986 |
| 12. |
Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов, “О влиянии эффекта полного увлечения неосновных носителей заряда
основными на свойства многослойных полупроводниковых структур”, ЖТФ, 56:9 (1986), 1827–1829  |
| 13. |
А. С. Зубрилов, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман, “Влияние радиационных дефектов на вольтамперную характеристику
кремниевых многослойных структур”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 532–534 |
|
1984 |
| 14. |
Т. Т. Мнацаканов, И. Л. Ростовцев, Н. И. Филатов, “О соотношении Эйнштейна в полупроводниках в условиях сильного
электронно-дырочного рассеяния”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1293–1296 |
|
1983 |
| 15. |
Т. Т. Мнацаканов, “Переходный процесс переключения диффузионного
$p{-}n$ перехода”, ЖТФ, 53:1 (1983), 189–191 |
| 16. |
А. С. Зубрилов, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман, “Исследование влияния оже-рекомбинации на вольтамперную характеристику
кремниевых многослойных структур”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 474–478 |
|
Обратная связь: