Мощные диоды Шоттки с участком отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристике

Показано, что при больших плотностях тока, превышающих некоторую величину $j_{st1}$, в базовой области диодов Шоттки наряду с диффузионным режимом переноса осуществляется так же режим диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом. Было исследовано влияния этого недавно обнаруженного режима на вид вольт-амперных характеристик диодов Шоттки при больших плотностях тока. Показано, что в случае, когда величина отношения ширины базовой области к амбиполярной диффузионной длине становится больше единицы, на вольт-амперной характеристике появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Результаты аналитического исследования были проверены и подтверждены с помощью численного моделирования.