Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 5, страницы 470–477
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49264.9339 (Mi phts5232) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

$S$-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока

А. Г. Тандоев, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков

Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
PDF полного текста (166 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49264.9339
Аннотация: Проведен последовательный учет влияния совокупности квазинейтральных режимов переноса носителей заряда в полупроводниках, включающей в себя наряду с диффузией и дрейфом обнаруженный недавно режим диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом (DSQD). Исследован порядок смены режимов переноса носителей заряда в структурах диода Шоттки, и показано, к каким особенностям вольт-амперных характеристик это может приводить. Результаты аналитического исследования особенностей проверены и подтверждены с помощью численного моделирования.
Ключевые слова: перенос носителей заряда в полупроводниках, мощные диоды Шоттки, вольт-амперная характеристика, режимы переноса носителей.
Поступила в редакцию: 24.12.2019
Исправленный вариант: 28.12.2019
Принята в печать: 30.12.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 5, Pages 567–574
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620050152
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Г. Тандоев, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, “$S$-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 470–477; Semiconductors, 54:5 (2020), 567–574
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TanМnaYur20}
\by А.~Г.~Тандоев, Т.~Т.~Мнацаканов, С.~Н.~Юрков
\paper $S$-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 470--477
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5232}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49264.9339}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42906060}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 567--574
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620050152}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5232
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i5/p470
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024