|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Твердотельная электроника
Теоретический анализ эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC
С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев Московский энергетический институт, Москва, Россия
Аннотация:
На основе результатов численного моделирования проведен анализ особенностей эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC, связанных с реализацией в них недавно обнаруженного $\alpha$-механизма включения. Показано, что одним из проявлений этого механизма является катастрофическое снижение блокируемого тиристором напряжения при увеличении температуры структуры. Обсуждены практические пути устранения обнаруженного эффекта.
Поступила в редакцию: 24.10.2017 Исправленный вариант: 26.03.2018
Образец цитирования:
С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, “Теоретический анализ эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC”, ЖТФ, 88:10 (2018), 1544–1550; Tech. Phys., 63:10 (2018), 1497–1503
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5798 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i10/p1544
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 35 |
|