Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2018, том 88, выпуск 10, страницы 1544–1550
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.10.46499.2529
(Mi jtf5798)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Твердотельная электроника

Теоретический анализ эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC

С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев

Московский энергетический институт, Москва, Россия
Аннотация: На основе результатов численного моделирования проведен анализ особенностей эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC, связанных с реализацией в них недавно обнаруженного $\alpha$-механизма включения. Показано, что одним из проявлений этого механизма является катастрофическое снижение блокируемого тиристором напряжения при увеличении температуры структуры. Обсуждены практические пути устранения обнаруженного эффекта.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-08-01038
Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 16-08-01038).
Поступила в редакцию: 24.10.2017
Исправленный вариант: 26.03.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2018, Volume 63, Issue 10, Pages 1497–1503
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218100250
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, “Теоретический анализ эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC”, ЖТФ, 88:10 (2018), 1544–1550; Tech. Phys., 63:10 (2018), 1497–1503
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YurМnaTan18}
\by С.~Н.~Юрков, Т.~Т.~Мнацаканов, А.~Г.~Тандоев
\paper Теоретический анализ эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H--SiC
\jour ЖТФ
\yr 2018
\vol 88
\issue 10
\pages 1544--1550
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5798}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2018.10.46499.2529}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36904520}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2018
\vol 63
\issue 10
\pages 1497--1503
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784218100250}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5798
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i10/p1544
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024