|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Иванов, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 733–737   |
1
|
| 2. |
А. Н. Косарев, В. В. Чалдышев, “Локализация носителей заряда в самоорганизованных квантовых точках InAs”, Письма в ЖТФ, 47:23 (2021), 51–54 |
2
|
|
2019 |
| 3. |
А. Н. Косарев, В. В. Чалдышев, А. А. Кондиков, Т. А. Вартанян, Н. А. Торопов, И. А. Гладских, П. В. Гладских, И. Акимов, M. Bayer, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al$_{0.29}$Ga$_{0.71}$As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц”, Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019), 573–577 ; A. N. Kosarev, V. V. Chaldyshev, A. A. Kondikov, T. A. Vartanyan, N. A. Toropov, I. A. Gladskikh, P. V. Gladskikh, I. Akimov, M. Bayer, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Epitaxial InGaAs quantum dots in Al$_{0.29}$Ga$_{0.71}$ As matrix: intensity and kinetics of luminescence in the near field of silver nanoparticles”, Optics and Spectroscopy, 126:5 (2019), 492–496 |
5
|
|
2018 |
| 4. |
В. И. Ушанов, В. В. Чалдышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1597–1600 ; V. I. Ushanov, V. V. Chaldyshev, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Diffusion blurring of GaAs quantum wells grown at low temperature”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1704–1707 |
2
|
| 5. |
V. I. Ushanov, V. V. Chaldyshev, V. V. Preobrazhenskiy, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Resonant optical reflection from AsSb–AlGaAs metamaterials and structures”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 471 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 468–472 |
| 6. |
V. V. Chaldyshev, E. V. Kundelev, A. N. Poddubny, A. P. Vasil'ev, M. A. Yagovkina, Y. Chen, N. Maharjan, Z. Liu, M. L. Nakarmi, N. M. Shakya, “Optical properties of AlGaAs/GaAs resonant Bragg structure at the second quantum state”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 466 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 447–451 |
|
2016 |
| 7. |
В. И. Ушанов, В. В. Чалдышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1620–1624 ; V. I. Ushanov, V. V. Chaldyshev, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Bragg resonance in a system of AsSb plasmonic nanoinclusions in AlGaAs”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1595–1599 |
1
|
| 8. |
А. Н. Косарев, В. В. Чалдышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1519–1526 ; A. N. Kosarev, V. V. Chaldyshev, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Effect of a low-temperature-grown GaAs layer on InAs quantum-dot photoluminescence”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1499–1505 |
4
|
| 9. |
А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1451–1454 ; A. S. Bolshakov, V. V. Chaldyshev, E. E. Zavarin, A. V. Sakharov, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, “Optical spectroscopy of a resonant Bragg structure with InGaN/GaN quantum wells”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1431–1434 |
4
|
|
1992 |
| 10. |
Н. Б. Пышная, С. И. Радауцан, В. В. Чалдышев, В. А. Чумак, Ю. В. Шмарцев, “Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе
жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1737–1741 |
| 11. |
Р. X. Акчурин, В. А. Жегалин, В. В. Чалдышев, “Электрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев
$\text{GaSb}\langle\text{Bi}\rangle$ и $\text{GaSb}\langle\text{Bi,Sn}\rangle$,
полученных из висмутовых растворов”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1409–1414 |
|
1991 |
| 12. |
Л. В. Голубев, А. В. Егоров, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Р. Г. Шаповалов, Ю. В. Шмарцев, “ЭЖЭ — рост объемных кристаллов и одновременное получение слоев на
нескольких подложках”, ЖТФ, 61:3 (1991), 74–79  |
| 13. |
В. Н. Денисов, Б. Н. Маврин, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных
изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1472–1475 |
| 14. |
В. С. Абрамов, И. П. Акимченко, В. А. Дравин, Н. Н. Дымова, В. В. Краснопевцев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически
активной и изовалентной примесей”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1355–1360 |
| 15. |
Е. В. Астрова, И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, О. М. Ивлева, Л. Г. Лаврентьева, А. А. Лебедев, И. В. Тетеркина, В. В. Чалдышев, Н. А. Чернов, Ю. В. Шмарцев, “Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных
слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 898–903 |
|
1990 |
| 16. |
Д. И. Лубышев, В. П. Мигаль, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, С. И. Стенин, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства
и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой
эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1862–1866 |
| 17. |
И. П. Акимченко, Н. Н. Дымова, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом
и кремнием”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1857–1861 |
| 18. |
В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова, “Подавление «природных» акцепторов в GaSb путем
изовалентного легирования висмутом”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1095–1100 |
| 19. |
В. А. Быковский, Л. А. Иванютин, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, И. Н. Цыпленков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании
арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических
соединений”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 77–81 |
|
1989 |
| 20. |
В. В. Воробьева, О. В. Зушинская, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, “Двойное изовалентное легирование арсенида галлия висмутом и индием”, ЖТФ, 59:8 (1989), 164–167 |
| 21. |
Д. И. Лубышев, В. П. Мигель, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Влияние отношения потоков мышьяка и галлия на люминесценцию арсенида
галлия, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1913–1916 |
| 22. |
В. И. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Ширина запрещенной зоны в твердом растворе
GaSb$_{1-x}$Bi$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1517–1518 |
| 23. |
Н. А. Анастасьева, Ю. Н. Большева, В. Б. Освенский, И. В. Степанцова, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Влияние легирования индием на люминесценцию монокристаллов арсенида
галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1259–1262 |
| 24. |
Ю. Ф. Бирюлин, Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, В. А. Писаревская, Е. В. Соловьева, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Об одной особенности донора — серы в GaP”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1070–1075 |
| 25. |
В. В. Чалдышев, Н. А. Якушева, “Люминесценция глубоких уровней в $n$-GaAs : Ge, Bi”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 221–223 |
| 26. |
В. В. Чалдышев, Н. А. Якушева, “Амфотерные свойства германия в GaAs : Bi”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 44–47 |
|
1988 |
| 27. |
В. М. Амусья, Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе
InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 342–344 |
| 28. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, С. Г. Конников, Я. И. Отман, В. В. Третьяков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, В. А. Шульбах, Л. Е. Эпиктетова, “Твердые растворы в системе Ga$-$Sb$-$Bi”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1651–1655 |
|
1987 |
| 29. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, В. Г. Голубев, Л. В. Голубев, В. И. Иванов-Омский, С. В. Новиков, А. В. Осутин, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, О. В. Ярошевич, “Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2201–2209 |
| 30. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова, “Влияние изовалентного легирования индием на
« природные» акцепторы в антимониде галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1118–1124 |
| 31. |
Ю. Ф. Бирюлин, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких
акцепторов в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 949–952 |
| 32. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1264–1267 |
| 33. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. Г. Никитин, Д. Л. Нугманов, В. В. Чалдышев, “Компенсация остаточных примесей в эпитаксиальных слоях $Ga\,As:Bi$”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1255–1259 |
| 34. |
Ю. Ф. Бирюлин, Г. С. Вильдгрубе, В. Н. Каряев, А. И. Климин, Т. Н. Пальтс, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотокатоды с отрицательным электронным сродством на основе твердых растворов $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}$ и их применение в фотоумножителях”, Письма в ЖТФ, 13:14 (1987), 833–835 |
| 35. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Т. В. Чернева, Ю. В. Шмарцев, “Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 188–191 |
|
1986 |
| 36. |
Р. Х. Акчурин, Ю. Ф. Бирюлин, С. А. Исламов, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция InP, легированного висмутом”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1258–1261 |
| 37. |
Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу об "очистке" арсенида галлия висмутом”, Письма в ЖТФ, 12:5 (1986), 274–276 |
|
1985 |
| 38. |
Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу об изменении степени компенсации мелких примесей
при изовалентном легировании арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1104–1107 |
|
1984 |
| 39. |
С. Г. Петросян, В. В. Чалдышев, А. Я. Шик, “Люминесценция неоднородных полупроводниковых твердых растворов”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1565–1572 |
| 40. |
Ю. Ф. Бирюлин, Р. Р. Ичкитидзе, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О зависимости квантового выхода фотолюминесценции в твердом растворе
GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ от состава и температуры”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1251–1255 |
|
1983 |
| 41. |
Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, М. Г. Мильвидский, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция твердых растворов
GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 108–114 |
| 42. |
Ю. Ф. Бирюлин, С. П. Вуль, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого
раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$)
и температуры (${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 103–107 |
| 43. |
Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О корреляции в расположении мелких примесей в арсениде галлия,
легированном индием и сурьмой”, Письма в ЖТФ, 9:4 (1983), 242–245 |
|
Обратная связь: