|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Локализация носителей заряда в самоорганизованных квантовых точках InAs
А. Н. Косаревab, В. В. Чалдышевa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Рассмотрена проблема локализации электронов и дырок на примере пирамидальных квантовых точек InAs в арсениде галлия. Задача квантовой механики решена для локализующего потенциала с учетом геометрии, химического состава и встроенных полей механических напряжений и деформаций. Установлено, что наилучшая локализация носителей обоих типов достигается при отношении высоты пирамиды к ее основанию около 0.2.
Ключевые слова:
квантовые точки, упругие деформации, локализация носителей заряда.
Поступила в редакцию: 30.08.2021 Исправленный вариант: 07.09.2021 Принята в печать: 08.09.2021
Образец цитирования:
А. Н. Косарев, В. В. Чалдышев, “Локализация носителей заряда в самоорганизованных квантовых точках InAs”, Письма в ЖТФ, 47:23 (2021), 51–54
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4617 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i23/p51
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 64 | PDF полного текста: | 20 |
|